氮化物发光二极管引领照明革命--一种没有灯丝的灯

光，点亮世界，照耀未来，照明光源是人类希望的象征。照明及其装置是国计民生不可缺少的重要组成部分，它从一个侧面反映城市文化，映射出地区或者都市经济繁荣的程度，社会发展现代化的水平。     

超亮发光二极管将替代白炽灯

发光二极管问世至今已有25年的历史了,在此期间,它们以其易于使用,比白炽灯可靠,能直接与薄膜晶体管和补偿金属氧化物半导体逻辑线路接口而不需要线路板的驱动器而受到称赞。但早期的发光二极管有着包括光输出差、视角窄、仅限于发红光,以及质量不稳定等诸多限制而未能得到扩大应用。至于光输出有限问题,主要是与半导体制造工艺有关的一些问题造成的。这些问题使当时的发光二极管限用于需要小指示器光源的应用和字母、数字     

单层有机发光二极管中电场与载流子密度的分布

建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。     

发光二极管胜过液晶显示器

有机发光二极管(OLED)显示器技术已经发展到能够显示1600万种颜色的程度。柯达的专利技术表明，由eMagine公司开发的全色快速矩阵电路含有超过150万个独立的可寻址的图像元素。为了达到看得“逼真”的目的，显示器必须有一个较宽的颜色和色调     

含PPV结构的电致发光材料

评述了含PPV(聚苯乙炔)结构的高分子型电致发光材料近几年来的研究进展工作,并对这类材料的分子设计做了简要展望.介绍和引用了有代表性的文献31篇.     

Efficient polymer light-emitting diodes with violet blue emission based on blends of PSiF6-PPP and PSiFC6C6

Efficient polymer light-emitting diodes (PLEDs) with violet blue emission were fabricated using blends of copolymers of paraphenylene-co-silafluorene (PSiF6-PPP) and polymer of poly (9,9'-alkyl-3,6-silafluorene) (PSiFC6C6). The performances of the devices are sensitive to the blend ratio. When the mass ratio of PSiF6-PPP to PSiFC6C6 is 1 : 3, the highest external quantum efficiency is 1.96% at luminance of 105 cd.m2, its electroluminescent (EL) spectrum peaks at 398 nm and full width at half maximum is 67 nm. The improvements of the device performances were due to the energy transfer from PSiFC6C6 to PSiF6-PPP and the balanced injection of electrons and holes.     

大功率LED灯具研究进展

发光二极管(LED)作为新一代的光源,具有寿命长、转换效率高、节能环保等优良特性,然而目前的大功率白光LED受到转换效率低和可靠性差等问题的制约。从荧光材料、封装技术、散热技术、驱动电源4个方面入手,对当前大功率LED的研究进展和未来研究方法进行评述。     

园林照明对窄叶石楠光合指标的影响

为得出园林照明对园林植物光合指标的影响,对园林植物窄叶石楠(Photiniaserrulata)进行5种不同光谱的发光二极管(LED)照射,每种光谱设置3级光照强度,并测量植物净光合速率及植物光合有效辐射.结果表明:相同光照强度,天然光照下植物的光合有效辐射最高;人工光源照射下,窄叶石楠净光合速率随光照强度升高而升高;绿光LED(530nm)照射,植物的光合有效辐射随光照强度增高,但净光合速率始终为负.     

组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.