GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

络合吸附法提取镓的研究

提出一种富集和提取镓的新方法——吸附沉淀法．在一定的试验条件下，使单宁和镓生成有色的单宁．镓络合物，利用活性炭吸附有色络合物，把单宁一镓络合物吸附到活性炭上，过滤分离，灼烧滤渣，得到了含镓量较高的灰分，实现了镓的分离、富集和提取，回收率达到99％以上．     

含镓层柱材料在β-甲基萘歧化反应中的催化行为

制备并表征了含镓层柱材料，考察了氧化铝和氧化镓交联皂石对β－甲基萘歧化反应的催化行为．结果表明：β－甲基萘以异构化反应为主．活性与酸量、选择性与酸性有很好的对应关系．氧化铝交联镓皂石较氧化钦交镓联皂石的活性高，歧化选择性亦高而异构选择性低．     

钒（V）——荧光镓极谱络合吸附波的研究

在ｐＨ６．０的ＫＣｌ底液中，钒（Ｖ）－荧光镓（ＬＭＧ）配合物产物－灵敏的极谱吸附波，峰电位在－０．８６Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），二次导数峰度与钒（Ｖ）浓度在３．９×１０＾－９～３．９×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，检测限为２．０×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ，研究了电极反应机理，方法已成功应用于自来水中钒的测定。     

新型层柱微孔材料ZnAl—GaW9M3的合成,表征及催化活性研究

采用水热合成与离子交换方法合成了不同过渡金属三取代的Ｋｅｇｇｉｎ结构杂多阴离子ＧａＷ９Ｍ３（Ｍ＝Ｆｅ３＋、Ｃｕ２＋、Ｃｏ２＋、Ｚｎ２＋）柱撑粘土．元素分析、ＸＲＤ和ＩＲ对产物的组成和结构测试表明，杂多阴离子被嵌入粘土层间后仍保持原有的Ｋｅｇｇｉｎ结构，而粘土的层间距却从０．８９ｎｍ增大到１．４６±０．０１ｎｍ．ＥＳＲ结果则表明ＧａＷ９Ｃｕ３进入层间后，由于层板的影响，ＣｕＯ６八面体中的ＣｕＯ键的离子性有所增强．催化实验显示柱撑粘土对合成邻苯二甲酸二辛酯（ＤＯＰ）的酯化反应具有较高的催化活性     

PIF同步荧光猝灭法测定Ga(Ⅲ)

建立了显色剂胡椒基荧光酮(PIF)同步荧光猝灭法测定镓的新方法.实验表明:在CPB存在下,于pH值为6.0的六次甲基四胺-HCl缓冲溶液中,随着Ga的加入,PIF的同步荧光光谱峰λex=495 nm(Δλ=50 nm)发生猝灭.猝灭程度与Ga的浓度成正比,线性范围为0~0.6μg/mL,检测限为82.6 ng/mL.方法简单、快速,用于合成样品中微量镓的测定,结果满意.     

煤烟尘中镓的酸浸及一种泡沫海绵的提取

对煤烟尘中镓作了盐酸浸出及ＯＣＰＵＦＳ（一种泡沫海绵）提取的研究。提出了一个从煤烟尘中回收镓的全湿法流程。     

微量镓对磷在晶界偏聚的影响研究

本文采用系列冲击试验,显微断口形貌和显微组织形貌观察,结合俄歇谱断口成分分析,研究了微量镓对中碳钢内磷在晶界偏聚的影响及其对钢的冲击性能的影响。试验结果表明,微量镓(含量在万分之几以上时)能够一定程度地阻止磷在晶界偏聚,(改变马氏体的形态)延缓回火过程;使得中碳钢不出现低温回火脆性,且具有较低的冷脆转折温度。