亚锰酸盐La0.7CaxSr0.3-xMnO3的磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7CaxSr0.3xMnO3系列多晶样品(量分数x＝0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．30)，并在零磁场和0．3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77—380K)的关系，结果发现随x的增加，样品的巨磁电阻效应的峰值温度向高温移动，磁电阻峰值基本保持不变.     

三维Hubbard－Hirsch模型的铁磁性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了三维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型的铁磁性．发现单中心积分常数Ｕ太小或太大时，只有双中心的交换积分常数Ｊ″＞Ｊ″Ｃ＞０，才可能有铁磁性．而Ｕ为中间值时，Ｊ″＝０需要用其他方法进一步研究．掺杂结果不利于铁磁性，使铁磁相的区域比无掺杂的半满情况减少     

路易.奈耳的磁学研究

本文根据奈耳的原始论文，叙述了奈耳提出局域分子场假说以及创立反铁磁和亚铁磁理论的过程，初步分析了奈耳研究工作的特点     

基于堆叠自编码器神经网络的复合电磁检测铁磁性双层套管腐蚀缺陷分类识别方法

铁磁性双层套管长期服役于恶劣的工作环境,极易出现腐蚀缺陷,定期为服役中的双层套管进行在线检测十分必要,而对管壁腐蚀缺陷位置的分类识别是管道定量检测与维修的前提和基础,实时准确的套管腐蚀缺陷分类识别能力是决定管道在线检测效率的重要因素。针对这一情况,将脉冲远场涡流和脉冲涡流技术相结合,提出了基于堆叠自编码器神经网络的分类方法。通过仿真和实验选取合适特征量作为输入层,实现了内管外壁腐蚀、外管内壁腐蚀和外管外壁腐蚀的分类,实验整体预判精度可达97.5%,结果表明该方法可对双层套管腐蚀缺陷缺陷实施高效、高精度分类识别。     

共沉淀-熔融法制备铁磁性微晶玻璃及其表征

采用SiO2-Na2O-CaO-P2O5-Fe2O3五元系统通过共沉淀-熔融法制备铁磁性微晶玻璃,利用XRD确定其晶相并计算晶体的晶格常数和晶粒尺寸,采用振动样品磁强计(VSM)测试样品的磁性能.结果证明,玻璃液在自然冷却的过程中形成了大量的磁铁矿,不需要热处理过程即可获得具有磁铁矿唯一晶相的铁磁性微晶玻璃,其比饱和磁矩为36.74 A.m2/kg,矫顽力为27 kA/m.     

反铁磁光子晶体波导的性质

研究了平面反铁磁光子晶体波导的色散性质.这种光子晶体波导是由两个平行金属板之间填充一维反铁磁光子晶体构成.对FeF2/Vacuum光子晶体波导进行数值和理论分析表明:(1)电磁波模式是分立的,并且只有有限的几个;(2)存在三种不同的频率带隙,其中之一是光子晶体共有的,其宽度取决材料的介电性质,之二是来自反铁磁的共振性质,之三是来自波导的结构.     

非平衡等离子体表面改性二茂铁磁性高分子的电磁性能研究

二茂铁磁性高分子(OPM,主要成分:Cr配位1,1'-二甲酰二茂铁1,8-萘二胺缩聚物)作为一类新型的功能高分子,表现出许多独特的电磁特性,但在某些苛刻条件下仍难以获得很好的应用.利用非平衡等离子体超常的化学行为,以低温空气等离子体对OPM进行表面修饰;红外数据显示经过改性后的OPM结构发生了变化,其高分子链上引入了—COOH、—OH、—NH2等基团,而这些极性基团的引入又导致其介电常数值也增大;同时,这些极性基团还能引起表面Fe离子环境的晶体电场变化,进而对其磁参数产生了影响,改性后的OPM饱和磁化强度有所降低,而其剩磁及矫顽力却又一定程度的增加.可见,经过非平衡等离子体改性后的OPM其电磁参数可进一步调整,可在某些特定的场合获得应用.     

不同水/表面活性剂比的微乳液制备纳米Ni-Fe复合微粒的组成和粒径分布

用X－射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）等研究了不同水／表面活性剂（[W]/[S]）比的微乳液制备纳米Ni-Fe复合微粒的组成和粒径分布，结果表明，([W]/[S]）比值不同，得到的Ni-Fe复合物微粒不但粒径不同，而产物的组成也有差异，当([W]/[S]）＞240时，微粒粒径最小，但组成复杂；当([W]/[S]）＜198时，微粒粒径呈寺大，但组成较单一，且可得到Ni-Fe合金相，各样品磁参数的测量表明，当将Ni-Fe组分总量规一化时，发现随Ni/Fe比增加，磁参数减小。     

磁性超抗磁性和超导电性

本文主要讨论晶体中磁的对称性,晶体的磁性,超抗磁性和超导电性.     

过渡金属掺杂MgH_2的结构和磁性的第一性原理研究

为研究过渡金属掺杂对氢化物铁磁性的影响,采用密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,以Mg H2为基本材料,以过渡金属(V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)元素替代2×1×2超晶胞中的Mg原子建立掺杂模型Mg1-xMxH2(M=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni),并计算模型自旋极化的磁性、能带结构和态密度等性质.结果表明:与Mg H2中的Mg—H键相比,过渡金属M(M=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)—H间的相互作用明显增强,造成Mg—H间强烈的离子键和部分共价键的相互作用随着过渡金属的掺杂而被削弱.掺杂体系中,V和Cr是受主杂质,而Mn、Co和Ni体系中,自旋极化率相对较低,且穿过费米能级的子带的斜率较低.研究表明过渡金属(V、Cr、Mn、Co和Ni)掺杂的Mg H2体系虽然可以导电,但电导率较小,具有比较稳定的半金属性.