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用溶胶-凝胶方法在LaNiO3/Si衬底上在450℃退火条件下制备了BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶,呈(I0I)择优取向.铁电性测试表明,室温下薄膜具有铁电性,剩余极化强度为0.6μc/cm^2,漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种。 相似文献
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采用溶胶凝胶法和旋涂法在磁性金属镍片衬底上制备了有机铁电薄膜P(VDF-TrFE),利用X射线衍射仪及振动样品磁强计表征了Ni/P(VDF-TrFE)样品的晶体结构和金属镍片的磁学性质,结果表明,旋涂制备所得有机P(VDF-TrFE)薄膜结晶形成了β相,镍片的饱和磁场约为2 000 (kAm-1/4π).利用静电计和锁相放大器,研究了样品的电学性质和不同磁场方向的磁电耦合效应.可以发现,金属镍片作为磁性衬底制备得到的Ni/P(VDF-TrFE)属于复合多铁性材料,该材料的磁电耦合效应具有各向异性,表现为平行方向大于垂直方向.实验所得结果为复合多铁性材料的制备和测试提供了重要的参考价值. 相似文献
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近年来,二维材料以其丰富的物性吸引着众多科研工作者的兴趣铁电性是指材料内部自发且可以通过外加电场进行调控的电极化的一种物理特性,在众多实际应用中发挥着不可替代的重要作用然而,在二维材料体系中,垂直于二维面的面外极化铁电性相对来说鲜有发现该文着重介绍近年来所发现的一类同时具有面内和面外极化且相互耦合的二维铁电材料In2Se3的研究进展,包括最初的理论预言,随后的实验验证,及近期在其器件应用方面的探索 相似文献
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HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一近年来,已有相关研究表明Zr掺杂的HfO2基薄膜具有良好的铁电性然而,针对其复合多层结构的铁电薄膜却鲜有报道为此,该研究利用金属有机物分解法制备了HfO2和ZrO2层交替生长的HfO2 ZrO2纳米多层薄膜,对薄膜的物相、表面形貌和铁电性能进行了相应的表征和分析,研究了退火工艺对薄膜铁电性能的影响结果表明,随着纳米层数的增加,HfO2 ZrO2薄膜的结晶性得到改善,且薄膜表面致密度增加,表面较为平整,晶粒有所细化在400 ℃、1 min的退火条件下,HfO2/ZrO2纳米多层薄膜具有明显的铁电性,电流翻转峰明显,剩余极化强度高达16 μC/cm2,纳米多层薄膜具有最小的漏电流密度以及良好的耐疲劳性能 相似文献
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采用传统的固相烧结法,制备了Na0.5Ho0.5-xYbxBi4Ti4O15铋层状结构陶瓷.经X射线衍射(XRD)表征,新合成材料为单相结构,且扫描电子显微镜下的表面和断面图像均为层状,说明合成材料为新型铋层状材料.室温时,在可见光波长范围内,有2个峰,分别为546 nm处的绿光峰和656 nm处的红光峰,分别对应于Ho3+离子的5F4+5S2→5I8和5F5→5I8跃迁.为研究其机理,测试了变功率条件下的发光强度,经计算,绿光和红光发射均为双光子过程.研究陶瓷样品在变温(-130~270°C)条件下的发光性能时,发现红光与绿光的强度比值与温度呈线性关系,该材料有望应用于光学温度传感器领域.经介电性能测试发现当Ho:Yb=1:9时,样品的居里温度为686.4°C.研究铁电性能发现当Ho:Yb=3:2时,剩余极化Pr为9.3μC/cm2,矫顽场强为Ec=82 k V/cm,表明具有一定的铁电性能.以上研究结果表明,制得的新材料是一种具有优异光学性能的多功能材料. 相似文献
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通过传统的固态反应技术结合冷压的方法合成了致密的六方结构的多铁性体TmMnO3陶瓷,高压方法有效的提高了样品的致密度。利用Rietveld方法中的GSAS软件对TmMnO3的常温X射线衍射数据进行了结构精修得到了该材料的晶体结构参数。样品的介电常数和电滞回线测量结果均表明六方TmMnO3陶瓷在室温以上具有铁电性,在348℃附近介电常数有一个极大值,说明在348℃附近有可能发生铁电相到顺电相的转变。电滞回线的测量为样品铁电性的存在提供了有力证据。 相似文献
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多铁性材料是一类同时具有(反)铁电、(反)铁磁及铁弹中两者或两者以上耦合性质的材料。近些年来,由于其在多功能器件中的潜在应用而引起了人们极大的兴趣。多铁性材料可分为单相多铁性材料和复合多铁性材料。复合多铁性材料由于其独特的优势而目前被人们广泛的研究。 相似文献
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Ba3NaLaNb10O30晶体的物性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Ba3NaLaNb10O30晶体具有四方钨青铜型结构,室温时的空间群和点群分别为P4/mbm和4/mmm晶格参数a=b=12,4712A,c=3.9350A。介电,铁电等测量结果表明,该晶体在280K附近有-弥散性很强的铁电一顺电相变,其弥散性指数γ=1.8低温200K时的XRD显示它的低温相为四方相,点群为4mm点群。 相似文献
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