处理金属逸出功实验数据的三种方法

金属逸出功实验数据处理比较麻烦,本文对常用的作图法、最小二乘法、origin软件作图法分别做一介绍。     

关于逸出功实验问题的探讨

从实验和理论上指出了目前所采用的测量逸出功的线路是有缺点的,指出在二极管的饱和区域内灯丝压降对测量逸出功的结果没有影响,并指出和灯丝并联的两个等值电阻是多余的.     

金属电子的逸出功和权流引起的阴极温降现象

用红外测温仪对理想二极管灯丝温度作精密测量，观察到由板流引起的灯丝温度下降。在教学实验中通常忽略了上述现象，因此有大约-1.86%的系统相对误差。     

金属电子的逸出功和板流引起的阴极温降现象

用红外测温仪对理想二极管灯丝温度作精密测量，观察到由板流引起的灯丝温度下降.在教学实验中通常忽略了上述现象，因此有大约-1.86%的系统相对误差.     

薄膜系统电子逸出功随温度变化规律研究

导出了薄膜系统电子逸出功温度系数随温度和覆盖度变化的关系式，以铕Eu在钨W（100）面的吸附为例，讨论了温度对吸附系统逸出功变化规律的影响，结果表明逸出功随温度升高而增大，随覆盖度增大而增大。     

反向电流对用光电效应测定普朗克常数的影响

本文提出了在“用光电效应测定普朗克常数”的实验电路中,实际上存在着阳极反向电流,并讨论了它的影响。因而阐明了实测伏安特性曲线和理论上的伏安特性曲线的偏离现象     

逸出功实验中数据处理的最小二乘法与作图法比较

本文以钨的逸出功实验为例,比较了实验数据处理的作图法与最小二乘法,通过微机处理数据,较详细地对最小二乘法进行了回归分析。作者认为,该法在物理实验课的方法训练中应占有重要地位。     

F—H汞管阴极电子逸出功的测定

许多电子设备中使用的电子管（如直热式二极管、Ｆ—Ｈ汞管等），其灯丝必须通以一定的电流才有电子发射出来，这是因为要使电子逸出金属表面，必须克服阻力作功，加热就是使电子动能增加便于作功的方法之一。金属最简单的模型是自由电子的模型，金属离子实形成均匀分布的正电荷背景，价电子已脱离原来所属的离子实的束缚在空间点阵内自由运动，而价电子间的库仑力可以忽略，这时金属中的自由电子气可以看作在均匀正电荷背景上自由运动的近独立粒子组成的费密系统，而且电子质量很小，密度大，乃是理想的简并性气体，故金属中电子能级的分配…     

计算元素逸出功的经验公式

元素的逸出功是研究晶体物理性能的重要标度,它不仅与元素本身的性质、晶体结构、元素在周期表中的位置、最外层电子的数目和分布等有关,还受温度、表面效应、体积效应、外电场和吸附薄膜等因素影响。