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1.
《聊城大学学报(自然科学版)》2018,(4):37-41
GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性. 相似文献
2.
徐重阳 《华中科技大学学报(自然科学版)》1987,(1)
本文介绍一种用非晶金属硅化物改善a—Sipin太阳电池TCO/p界面特性的新方法.文章中详细讨论了载流子的传输模型并给出了一系列的实验数据.利用这种方法,用单反应室等离子体CVD装置使a—Si电池的短路电流提高了10%以上,并已获得10.6%的转换效率. 相似文献
3.
4.
5.
双层结构8—羟基喹啉铝电致发光的有效载流子形成过程 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了分子掺杂聚合物作为空穴传输层、8-羟基喹啉铝作为发光层的有机分子/聚合物双层结构的电致发光。着重指出在稳定发光之前有一个有效载流子形成过程。 相似文献
6.
建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。 相似文献
7.
研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。 相似文献
8.
林鸿生 《北京大学学报(自然科学版)》1997,(3)
基于实验结果,应用Scharfeter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-SiHSchotky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明,随着光辐照发生的载流子俘获造成的a-SiH中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区(低场“死层”)的出现,从而导致载流子收集长度的减少。这是a-SiHSchotky势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是,一种提高a-SiH太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出 相似文献
9.
林鸿生 《北京大学学报(自然科学版)》1997,33(3):346-353
基于实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经主同强度光辐照过的a-Si:HSchottky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。 相似文献
10.
CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZnTe探测器,在详细阐述了CdZnTe探测器工作原理的基础上,对比分析了他们的能谱响应曲线和载流子输运特性的关系.重点分析了CdZnTe探测器能量分辨率、电荷收集效率和峰谷比等关键指标参数与CdZnTe晶体中电子和空穴的迁移率和寿命积以及载流子的去俘获效应的相关关联,分析表明载流子的迁移率和寿命积是影响探测器电荷收集效率决定因素,而当电荷收集效率〈90%时,电荷收集不完全对探测器的能量分辨率有较大影响,而载流子在陷阱中的去俘获时间对探测器信号的本底噪音和极化效应有较大影响.建立了一个通过简单平面探测器能谱响应曲线反映CdZnTe晶体载流子输运特性的方法,为CdZnTe探测器和晶体质量的评价和筛选提供了基础. 相似文献