含F2223相铋系超导体的光电子谱

发现Bi系超导体以来,用X射线光电子谱XPS对其成键与电子结构等性质的研究已有不少报道。Kokiki等由XPS测量结果讨论了Bi,Sr,Ca在晶体中的分布及其性质,Kishia等由XPS指出,无论在Bi-Sr-Cu-O,(Bi,Pb)-Sr-ca-Cu-O或Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体中,Cu2p~(3/2)束缚能不变,但Sr3d~(5/2),O_(18)的束缚能E_b随上述体系不同而发生变化。掺稀土的Bi系XPS,近来也有研究报道。     

掺Sb对Bi（Pb）SrCaCuO超导电性的影响

研究了掺Ｓｂ对ＢｉＳｒＣａＣｕＯ超导电性的影响，对Ｂｉ系统料中Ｓｂ，Ｐｂ的最佳含量和烧结工艺进行了探索。     

YBa2Cu3O6+x光电导效应的研究进展

本就高温超导体YB2Cu3O6 x的光电导效应的研究现状进行了介绍，并就机理解释及未来的研究工作做了简单的评述。     

金属纳米粒子的超导临界半径计算

应用随机矩阵理论研究了金属纳米粒子的超导电性，特别是其临界超导半径。将计算结果同其他理论与实验相比较后发现：引入随机矩阵理论后得出的超导图像，与实验结果定性吻合。在理论上能同时给出纳米粒子超导性增强和减弱效应。     

Cu,O元素的性质与高温超导氧化物

从新的角度由Cu,O元素的电子构型,及电子构型决定的元素性质参数,分析了Cu,O在高Tc氧化物超导体中的成键特点,首次揭示了Cu,O在铜氧系列氧化物高温超导体中的作用本质起因,得出了:Cu,O元素的电子构型所决定的成键特点是铜氧系列氧化物高温超导体超导电性的根本内禀因素。取得了诠释含Cu高温氧化物超导体有别于其他含氧超导体Tc差异大的本质因素。     

CsI高压超导电性的第一性原理

利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了高压下CsI的电子能带结构、 电子态密度、 声子谱、 声子态密度以及电子和声子的相互作用, 探讨了CsI在高压下产生超导电性的物理机制. 研究表明, CsI层内的光学振动模式与电子之间的强耦合作用是CsI产生超导电性的主要原因.     

MgB2的高压高温合成及其超导电性

在高压(3.0GPa)和高温(900℃)条件下,制备出单相MgB2样品.样品的粉末X射线衍射实验和Rietveld精修结构分析表明,所制样品具有AlB2型六方结构,空间群为P6/mmm,a=3.0861(5)A,c=3.5222(8)A.测量结果表明样品的超导临界转变温度(Tc)为39K.     

La2-xSrxCuO4(0.03 < x < 0.17)单晶

系统地研究了高质量La2-xSrxCuO4单晶（x＝0．03,0．05,0．07,0．1,0．12,0．17）的热电势S随掺杂浓度的变化,在所研究的掺杂范围内,热电势S保持正值,随着Sr含量x的增加,室温热电热S（290K）逐渐降低,报道了La系214相中空穴浓度和室温热电势S（290K）之间关系的经验公式,在金属扩散模型的理论基础上对实验数据进行了讨论。     

B位元素掺杂对Y-Ba-Cu-O系ABO_3化合物超导电性影响的研究

自高T_c氧化物超导陶瓷出现以来,已提出了许多可能与超导电性相关的因素。为探讨这些因素对超导性的影响,对元素掺杂的研究有着重要的意义。按照容许因子公式的要求,我们选择了满足ABO_3化合物中B位要求条件下的过渡族元素,将它们掺入(YBa)CuO_3中时,能部分取代Cu的位置而处于B位上。这样利用B位元素的少量掺杂,可以作为“结构探针”引出与周围O的2P电子、氧缺位及Cu、稀土离子等相互作用信息的变化,有助于对超导微观机理的了解;又因为ABO_3化合物