离子轰击碳膜凸起形成碳纳米尖端的理论分析

用CH4、NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si上制备了碳纳米尖端.用原子力显微镜表征了碳膜,结果表明碳膜是凸凹不平的膜,有许多凸起.在生长碳纳米尖端的过程中,由于既有含碳离子在凸起上的沉积,又有氢离子和含氮离子对凸起的刻蚀,根据有关离子沉积和溅射刻蚀的理论,理论分析了离子轰击碳膜凸起碳纳米尖端的形成.     

高温烧结和等离子轰击改善碳纳米管薄膜的场发射性能

针对丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜阴极场发射能力差和寿命短等问题,提出了一种能有效改善其场发射性能的高温烧结和等离子轰击后处理方法.同其他方法相比,该方法避免了直接接触对CNTs膜体造成的机械损伤,能彻底清除CNTs薄膜表面的有机粘合剂,增强CNTs薄膜与衬底的接触,并且烧毁超长的CNTs尖端.场发射特性测试表明,经该方法处理的CNTs薄膜的开启场强为2.6 V/μm,电流密度在场强为9.0 v/μm时达到527×10-6A/cm2.场发射寿命测试显示,该方法处理的CNTs薄膜阴极经点亮200 min后电流密度基本没有衰减,波动也较小.该方法为改善丝网印刷CNTs薄膜阴极的场发射性能提供了一种可行的方案.     

第114号化学元素再次被实验确认

德国芙因茨大学25日报告说，一个国际研究小组在德国重离子研究中心通过实验再次确认了第114号化学元素。在为期4周的实验中。科学家在120米长的粒子加速器内用钙离子轰击涂有钚涂层的薄箔，     

离子轰击温升测量误差分析

用非晶带温升晶化记录法和铂薄膜热电阻温度计分别测量了镀一层铝薄膜的非晶带在氩离子束轰击下引起的温升与轰击束流功率密度的关系。误差分析表明，薄膜温度计测量的系统误差小，但其方法误差很大；非晶记录法相比之下测量绝对误差较小。从热力学稳态能量守恒出发，给出了Ｐ－Ｔ关系式的近似表达式。     

离子轰击处理的TC11钛合金表面组织与性能

为提高表面性能 ,对 TC11钛合金进行了离子轰击表面处理 ,运用金相显微镜、扫描电镜和 X射线衍射仪分析了表面改性层的组织结构 ,测定了改性层的显微硬度和深度。结果表明 :TC11钛合金经离子轰击表面处理后 ,表面可获得由 Ti N和 Ti2 N组成的改性层 ,硬度为 60 0～ 80 0HV0 .0 2 ;次表层主要由含氮α相组成 ,渗层厚度为 3 5 0～ 4 0 0μm。表面硬度的提高 ,有利于改善 TC11钛合金的耐磨性     

直流磁控溅射铬膜附着性的影响因素研究

讨论了采用直流磁控溅射法在锆合金表面镀铬时，基体的粗糙度、退火工艺、薄膜厚度及溅射前的基体离子轰击对铬薄膜附着性的影响。以自动划痕测试仪测试样品的膜/影基结合力，结果表明：退火处理能大幅度增强铬膜的附着性；薄膜厚度的增加却会使其附着性降低；而基体粗糙度对附着性并无大的影响。     

ITO表面处理对有机电致发光器件光电特性的影响

分别采用超声波清洗、O2 Plasma、UV-ozone方法对ITO的表面进行处理,用原子力显微镜(AFM)观测了处理后ITO的表面形貌,并用经上述方法处理的ITO制作了结构为ITO/NPB/Alq3/Al的电致发光器件,比较了这些方法对器件性能的影响.结果表明,这些方法可以改变ITO的表面化学成分及结构,大幅度地提高器件的亮度、寿命和稳定性,尤其是氧离子轰击最为有效.     

离子轰击对金刚石核形成能影响的理论探讨

金刚石核化是制备金刚石薄膜的关键。目前,负偏压是增强金刚石核化最有效的方法。本工作着重计算了在负偏压增强金刚石核化的过程中,金刚石在离子对衬底表面进行轰击导致衬底表面产生微缺陷（凹坑）上成核的形成能,给出了金刚石的核化能,核化密度以及核化速率与凹坑密度的解析函数。结果表明金刚石的核化能随凹坑密度的增大而降低,从而导致核化密度及核化速率的提高,与文献中的实验结果相一致。分析和讨论了凹坑降低金刚石核形成能的原因。     

N^＋离子轰击对过渡金属Nb,MO,Ti与Si接触界面的影响

为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N~ 离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。