任意形状导体空腔内的电位及场强分析

由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布，说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀，但空腔内部的电位仍然处处相等，整个导体是等位体，场强分布为零，与导体空腔形状无关．这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。     

任意带电孤立导体表面电荷分布公式

给出了任意几何形状带电绵地体在静电平衡条件下的面电荷密度分布公式,分析了公式的物理意义及适用范围。     

一个静电场问题的教学研究

针对均匀外电场中的导体球问题，通过分析推理，利用普通物理的现成结果求出解答，避免了解静电势的微分方程，可供教学参考．     

体极化介质IP面电荷的计算及分布规律

本文以等效电阻率法为理论基础,导出了几种常见情况下,体极化介质表面上一次电流场和二次极化电流场以及总电流场的面电荷密度的表达公式,并分别对点电流源场中多层介质分界面上的面电荷密度及在均匀电流场中球状和水平圆柱状极化体表面上的面电荷密度进行了具体计算,得到了某些表征电荷分布规律的理论曲线。利用本文中给出的研究结果,可以简便地对一次电流场和二次极化电流场的异常电位及异常电流强度的分布特征,进行定性分析和定量研究。     

芳香酸的电子结构与缓蚀性能关系的研究

用极化曲线法测试了6个芳香酸化合物对20^#碳钢在HCl溶液中的缓蚀性能，用MNDO方法得到这些分子的前线轨道能量和电荷分布等，经拟合，N原子的净电荷与缓蚀性能间有好的相关性。     

一种新型超氧化物歧化酶的活性中心量子化学计算

借助Fe-SOD的晶体模型，运用Gaussian94程序包，采用HF下的LanL2DZ基组对一种新型的超氧化物歧化酶Ni-SOD的还原型Ni(Ⅱ）－SOD的活性中心进行了量子化学计算，由其分子轨道能量，电荷分布和前线轨道的贡献可以预见，Ni-SOD具有较高的结构稳定性和催化超氧离子的活性。     

电场中不均匀导电媒质的电荷分布及其应用

利用高斯定理和电荷守恒原理,求得电场中不均匀导电媒质的电荷分布规律,发现电荷分布与电场强度大小和方向及媒质的不均匀性有关,与初始条件无关,而且稳定电场和似稳电场中电荷分布是相同的。应用所得理论结果,对裸眼井井壁的面电荷分布和地层冲洗带内的体电荷分布情况作了初步的探讨。     

分子中电荷分布的计算及其应用

用高斯函数的组合来拟合类氢原子轨道的平方，然后以此组合函数作为密度函数来拟合分子的密度基函数，由此设计计算高斯函数组合系数及指数的计算程序和计算分子电荷分布的计算程序，用该程序计算了一系列有机分子，得到了这些分子中各原子的电荷分布，进而求得了各原子上的净电荷。     

高度顺/反选择性合成单氟烯烃

近年来，单氟烯烃在药物化学中得到了广泛关注。这主要是由于单氟烯烃骨架在电荷分布与偶极距性质上与酰胺结构非常相近，但是单氟烯烃不像酰胺键那样容易发生构象变化或在水解酶的作用下发生水解断裂。因此单氟烯烃结构单元作为仿酰胺结构，常被用于仿肽类（peptidomimetic）蛋白酶抑制剂类药物中。     

用镜像法求金属球壳内外表面感应电荷的分布

在金属球壳内放一个偏离球心的点电荷q,则在球壳内表面上感应电荷的面密度σ＇是不均匀的,外表面则是均匀分布的,这是一个熟悉的静电问题.为了求σ＇的分布函数,一般用分离变量法求解,本文用镜像法求σ＇比直接地解拉普拉斯方程简便得多,