MeV Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响

１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或温度无关，并且分别等于２９５和７２．２ｎｍ．与ＴＲＩＭ８６的计算结果相比较，发现ＲＰ的偏离为１８％，而ΔＲＰ的偏离为３６％．ＲＰ和ΔＲＰ二者与注量及温度的无关性，排除了所观察到的与ＴＲＩＭ的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。     

离子束增强沉积制备Al、Al－Y薄膜改善304不锈钢抗氧化性能的研究

用离子束增强沉积的方法，在３０４不锈钢表面合成了Ａｌ及Ａｌ－Ｙ薄膜．通过在９５０℃、１０５０℃的恒温氧化和９５０℃的循环氧化实验发现，由于Ａｌ＿２Ｏ＿３保护膜的生成显著提高了３０４不锈钢的抗氧化性，而Ｙ的加入又明显地提高了Ａｌ＿２Ｏ＿３氧化膜的抗循环氧化能力．本文通过ＳＥＭ、ＡＥＳ、ＥＰＭＡ及Ｘ射线衍射相分析等手段，分析了氧化产物层的形貌和组成．并根据实验结果探讨了Ａｌ、Ｙ有益作用的机制．     

用共线性离子束—激光光谱学研究NdⅡ能级的超精细结构

共线快离子束－激光光谱学具有选择性激发,测量精度高等优点而被用于研究原子、分子和原子的同位素位移,激发寿命和超精细结构,介绍了利用快离子束－激光共线技术测量ＮｄⅡ亚稳态４ｆ＾４５ｄ＾６Ｋ１３／２和激发态（２５５２４）１３／２°的超精细结构,并定出相应的超精细相互作用常数。     

微组装纳米多层材料的力学性能研究

为研究探索新材料,采用离子束溅射沉积的方法制备了子层厚度为纳米量级的陶瓷／金属以及陶瓷／高分子多层膜。对这些纳米多层膜的结构和硬度、韧性行为进行了研究。发现纳米多层膜的硬度行为强烈地依赖于材料系统,在某些系统中出现了超硬度效应,而在某些系统则没有这一现象。纳米多层膜的韧性比单相的陶瓷材料有明显提高。硬度、韧性等力学行为与多层结构的组分比例、调制波长等参数有关。研究表明纳米多层结构是获取具有优良力学性能新材料的有效途径。     

在创造超级稻新种质中离子束生物技术的发展方向

从三个方面分别论述了创造水稻新种质的必要性、促进水稻遗传改良的可能性和培育超级稻新种质的方向性。随着离子束生物技术的不断改进和完善，它在水稻遗传改良中的作用会越来越明显。在今后的研究过程中其技术思路可以用“诱变介导，生殖发育，倍性变化，特异种质”这16个字进行概括。     

低能氮离子束对大肠杆菌基因表达的影响

研究了能量为25keV的氮离子束照射后大肠杆菌细胞基因表达水平的变化.结果表明:(1)N + 离子照射后细胞总蛋白表达水平显著提高.(2)应用差异mRNA表达(DDRT-PCR)技术并与点杂交方法相结合,使用两组引物组合,成功地从E.coli(DH5α)细胞中分离了共计23条差异表达片段:12条基因表达开启(损伤诱导表达),4条表达关闭,6条表达增加,1条表达减少.证明低能离子束诱发E.coli的基因表达变化是明显和多样性的.     

从噻吩合成3-(3-噻吩酮)噻吩

以噻吩作为起始化合物，经溴化、去α—溴、卤素—有机金属锂置换、酰化、羟基加成、氧化等6步反应，制备得到3—(3—噻吩酮)噻吩，总产率20％。3—(3—噻吩酮)噻吩是合成低能隙聚合材料聚合双噻吩芴酮PCDT、氰PCDM的重要原料。     

离子束溅射制备的C-N薄膜

Liu和Cohen采用经验模型和从头计算法计算了假想结构共价键化合物β-C_3N_4的弹性模量和结构性能。结果表明:该种共价键化合物的弹性模量与金刚石相当,其结构至少是亚稳态的,该种材料不仅具有高硬度,而且具有良好的导热性和热稳定性。为此,这种新型超硬材料受到了普遍关注,人们开始采用不同的实验方法合成β-C_3N_4.Wixom利用含氮的有机化合物进行冲击波合成,结果只得到了一些金刚石颗粒;Maya等人采用几种含氮的有机化合物进行高温热解,也未观察到碳氮成键的迹象。采用磁控溅射法合成β-C_3N_4时,得到的是非晶的C-N薄膜,其中含有极少量的纳米晶体。最近,Niu等人报道:采用脉冲激光蒸发高纯石墨并通进原子氮可制备出含有β-C_3N_4晶相的碳氮薄膜,薄膜中的氮含量可以达到40％。Gouzman等人采用低能氮离子注入到石墨表面,结果观察到氮的化合态,说明了β-C_3N_4的存在。     

合成TiN膜的俄歇电子能谱研究

采用离子束增强沉积方法（ＩＢＥＤ），在Ｆｅ基上制备了ＴｉＮ薄膜。通过划痕仪，透射电镜（ＴＥＭ），俄歇电子能谱（ＡＥＳ），粘着力测量仪的观测，分析和计算，给出了膜的形貌，组分和机械特性；发现ＴｉＮ膜与衬底之间存在一过渡区，膜中含氧量比气相真空沉积（ＣＶＤ）明显减小。在ＡＥＳ定量计算中，本文采用一种与文献不同的方法，较为简便地处理了俄歇谱中Ｔｉ和Ｎ峰的重叠现象