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1.
2.
水热法合成纳米ATO粉末的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了以锑白、氢氧化钠、锡酸钠为原料,硫酸作为沉淀剂先制备出ATO的前驱体,然后用水热法合成了ATO纳米粉体,用容量法和碘量法分析其锑掺杂量分别为4.3mol%、5.8mol%和7.2mol%,并用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、差热分析等手段对粉末进行了表征.DTA分析表明所得到的粉末脱水完全,晶型稳定;TEM分析结果表明其平均粒度20nm左右。XRD分析表明,随着锑掺杂量的增加,ATO的粒度减小而结晶性能变差.图4,表2,参10. 相似文献
3.
V—Sn氧化物催化甲苯气相氧化剂苯甲醛 总被引:6,自引:0,他引:6
采用溶液混合法和浸渍法制备了一系列V2O5-SnO2二元氧化物和V2O5-SnO2/η-Al2O3负载型催化剂,V2O5与SnO2构成的二元氧化物样品与单氧化物及其V2O5-SnO2/η-Al2O3的性质不同,负载型催化剂的活性明显高于二元氧化物样品的活性,甲苯转化率和苯甲醛选择性与催化剂的组成有较好的对应关系,随着SnO2的引入,催化剂活性缓慢降低,苯甲醛的选择逐渐减小,可见SnO2不适合作为甲苯氧化反应的催化剂组分,X射线衍射实验结果表明,SnO2的作用主要是为钒的分散提供骨架。 相似文献
4.
采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理. 相似文献
5.
侯榆青 《西北大学学报(自然科学版)》1997,27(4):297-300
用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料,对此二氧化锡进行掺杂,制成由一定原料配方组成的厚膜浆料,以此浆料用丝网印刷技术制备SnO2厚膜气敏元件。然后,对系列元件进行气敏特性测试,所制备的SnO2气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。 相似文献
6.
将溶胶-凝胶-超临界流体干燥法所制超细SnO2粉体应用于气敏材料,可以得到具有较大应用前景的低功耗气敏元件。本工作通过吸附性和气敏效应的关联,特别是不同吸附物种对CO气体检测的作用研究,结合溢流现象,提出了超细元件的Pd-氧溢流模型,解释了超细粉体降低元件工作温度的原因。 相似文献
7.
《河南科技大学学报(自然科学版)》2014,(3)
研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。 相似文献
8.
本文报道了掺杂Pd和Pt等贵金属的SnO_2气敏元件置于NO_x气氛中,灵敏度发生明显下降的现象。分析认为,其主要原因是元件中的贵金属受到了NO_x污染.XPS分析表明,污染后的Pd3d_(5/2)已确有化学位移。 相似文献
9.
纳米 SnO2 基 CO 敏感元件的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
徐海萍 《太原理工大学学报》2002,33(4):366-368
采用沉淀法制备了SnO2纳米粉体,并制作了烧结型的CO敏感元件,考察了掺杂元素的种类和含量及烧结温度对敏感元件灵敏度的影响,为获得性能良好的CO气敏元件,需要最佳的制备方法和最好的掺杂剂。 相似文献
10.
SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %. 相似文献