Decoration of disclinations by solidification-induced band texture and focal-conic texture for a low-molar-mass liquid crystal

Two decoration techniques, solidification-induced band texture decora tion and focal-conictexture decoration, have been established to exhibit the director field of disclinations in a low-molar-mass methacrylate liquid crystal. The disclinations with strength s = 1/2 and s = ±1 are observed by the two decor ation methods. For the solidification-induced band texture decoration, the molecular orientation is perpendicular to the direction of the band. While for focal- conictexture decoration, it has been proved by the results of IR dichroism that the direction of the director is parallel to the direction of the focal-conic. Therefore, the sketch map of the molecular director filed can be mapped according to the morphological pattern of the solidification-induced band textureor focal-conic texture.     

近晶C相液晶中向错线对自由能的影响

利用φ映射方法计算了近晶相液晶中向错线对自由能的影响.得出向错线自身的自由能是以kπ为单位拓扑量子化的,从而弥补了挖掉奇异区域来估算向错线自由能的不足.研究结果表明,向错强度相同的两条向错线由于排斥最终将达到一个平衡状态,向错强度相反的两条向错线由于吸引可能彼此湮灭.     

向错强度与阻尼系数对纳米晶材料小角度晶界湮没的影响

[目的]研究一维纳米晶材料演化过程中的小角度晶界湮没过程,探究向错强度与阻尼系数对位错湮没的影响。[方法]建立位错运动方程,计算模拟小角度晶界的晶格位错在外应力作用下发生的变化。[结果]随着切应力增加,晶界由过阻尼运动变为无穷远的单向运动,向错强度越大晶界越难以湮没,并且晶界位错由同时湮没转变为两端先湮没,中心后湮没;阻尼系数越大,湮没临界切应力越大,但到达一定值时,阻尼系数不再影响临界值。[结论]晶界湮没存在临界切应力,向错强度主要影响临界切应力,阻尼系数主要影响位错初始速度和运动停止时间。     

楔型向错偶极子对界面裂纹尖端场的干涉

研究了材料中楔型向错偶极子与界面裂纹的弹性干涉效应.运用复变函数方法获得了复势函数和应力场的封闭形式解答,导出了界面裂纹尖端应力强度因子的解析表达式.讨论了向错偶极子的位置、方向和偶臂长度对界面裂纹尖端应力强度因子的屏蔽和反屏蔽效应.结果表明,向错偶极子靠近裂纹尖端时,对应力强度因子的屏蔽或反屏蔽作用非常强烈.向错偶极子的方向存在一个临界值使其对应力强度因子的屏蔽或反屏蔽效应最大.另外,偶臂长度和材料失配对应力强度因子的影响也很大.     

非线性缺陷连续统的位错和旋错的连续性方程

根据非线性缺陷连续统的４维几何理论，导出了位错和旋错的连续性方程，该方程具有广义坐标变换的协变性，并且其中仅出现与缺陷连续统自然构型形对应的Ｒｉｅｍａｎｎ－Ｃａｒｔａｎ时空的联络，改进了原来需要两种联络的连续性方程，在线性近似下，导出的缺陷连续性方程简化为与线性缺陷连续统理论的位错和旋错连续性方程相同的形式。     

高分子向列液晶态织构研究的进展

本文综述了高分子向列液晶态织构研究的进展,对于丝状、纹影状、大理石纹状、液滴状等非取向态织构和条带织构等取向态织构内的向错和分子指向矢分布,从理论和实验两方面进行了解释。