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1.
研究了耦合效应对多壁纳米碳管非线性光致发光的影响.采用π 轨道紧束缚模型,从理论上得到了层间耦合会减小多壁碳纳米管的带隙和电子跃迁几率.从而说明了多壁碳纳米管的荧光很难观察到的原因. 相似文献
2.
以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染． 相似文献
3.
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。 相似文献
4.
用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ，半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱、ＰＳ断透射电（ＴＥＭ）分析发现有ｎｍ量级的Ｓｉ原子团组成的一维量子线（柱）阵列的三维量子海棉结构，由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了ＰＬ谱的实验结果。 相似文献
5.
通过逐步聚合的方法合成了一种新的含有长烷基链的金属酞菁的聚合物,这种自组装的聚合物有很好的溶解性能,且很容易成膜,并对其光以及电化学性能进行研究.从紫外可见光谱图中可以看到两个强的吸收带,分别位于600-700 nm,以及300-400 nm.这种物质具有低的禁带宽度(Eg<1.8 eV),很容易吸收太阳光.采用332 nm的光作为激发光源,它的溶液的发射峰出现在402nm.从循环伏安图上可以观察到,两个可逆的氧化还原过程出现在0.64 V,-1.10 V. 相似文献
6.
研究了在紫外光(UV)激发下,Bi~(3+)、Sm~(3+)单掺杂和共掺杂的GdBO_3的发射光谱、激发光谱及发光强度随组成变化的规律。发现在GdBO_3:Bi,Sm体系中,Bi~(3+)和Gd~(3+)对Sm~(3+)的发光均有敏化作用。Bi~(3+)的绝大部分能量是通过Bi~(3+)→Gd~(3+)→(Gd~(3+))_n→Sm~(3+)途径传递给Sm~(3+)的,Gd~(3+)在能量传递中起中间体作用。研究了Bi~(3+)→Sm~(3+)的能量传递机理为电偶极—电偶极相互作用的共振传递。根据406nm激发下GdBO_3:Sm体系中Sm~(3+)发光强度与浓度的关系,证明了Sm~(3+)自身浓度猝灭的机理也为电偶极—电偶极相互作用。 相似文献
7.
金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。 相似文献
8.
使用脉冲激光沉积（PLD）技术制备了系列无氢类金刚石（DLC）薄膜,测量了样品的Raman光谱、光吸收和光致发光,研究了光致发光与制备条件的依赖关系。结果表明,这种薄膜是有少量sp^2键和sp^2键组成的非晶碳膜。薄膜的光学带隙在1．68～2.46eV,发光在可见光区呈宽带结构。沉积温度对类金刚石薄膜的结构和发光性质有较大影响。当沉积温度从室温升高至400℃时,sp^2团簇的长大使C原子的有序度增强,从而导致薄膜的光学带隙变窄,发光峰红移且半高宽变小。 相似文献
9.
采用溶胶-凝胶-燃烧法在700℃和较短的煅烧时间下制备了钙钛矿结构的BaZrO3纳米晶,对产物进行不同摩尔浓度的Eu3+、Dy3+掺杂,并对产物的发光性质进行了研究.结果表明:Eu3+掺杂的BaZrO3样品具有5D0→7F1(595 nm)和5D0-7F2(615 nm)的强电子吸收,且在Eu3+掺杂摩尔浓度为5%附近... 相似文献
10.
以Gd2O3和Dy2O3为反应物,共沉淀合成了镝掺杂氧化钆纳米粉体．研究了Gd2O3：D6^3＋的光致发光性质随着Dy^3＋掺杂浓度和煅烧温度的变化关系．通过对荧光强度与激活离子Dy^3＋离子浓度的关系研究发现,Dy^3＋在纳米Gd2O3基质中存在浓度猝灭现象,最佳掺杂浓度为0．7％． 相似文献