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利用多通道量子数亏损理论(MQDT)研究了一价铟离子5sns1S0(n=6～20),5sns3S1(n=5～15)and 5snd1D1(n=5～14)的能级结构及寿命,分析了各通道之间的干扰.这些能态数据对于新材料的研究具有一定的指导意义. 相似文献
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