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1.
2.
介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、三维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。 相似文献
3.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 相似文献
4.
5.
目的探讨G-6-PD缺陷症及其与新生儿黄疸的关系。方法对新生儿进行G-6-PD筛查,测定患儿血清总胆红素,血红蛋白、GT和GDT。结果65例G-6-PD缺陷症患儿均出现黄疸,血清总胆红素升高者达64.6%,核黄疸发生率为27.7%。无诱因黄疸发生率15.4%。感染、窒息缺氧、空内窒迫及新生儿颅内出血等是黄疸的重要诱因。结论G-6-PD缺陷是新生儿黄疸的主要原因,积极合理治疗可治愈。 相似文献
6.
以2,3-二甲基-5,6-二氰基吡嗪为原料,在AIBN的引发下,用NBS进行自由基溴化反应,合成了标题产物,其结构经熔点,MS,1HNMR,UV等予以确证,从而为该物质的合成探索了一条新途径. 相似文献
7.
8.
IPv4向IPv6过渡的机制 总被引:1,自引:0,他引:1
IPv4在Internet的高速发展中出现了许多急待解决的问题,如地址不足,路由表膨胀,安全性不高及移动性不够灵活等。新一代IPv6协议则提供了一些新的机制来解决这些问题。本文主要讨论了IPv6的特性以及IPv4向IPv6过渡的方法。 相似文献
9.
本文介绍了MC68HC705P6A单片机在电梯门安全保护光幕中的作用,以及电梯门安全保护光幕的工作原理,电路设计和软件设计。 相似文献
10.
强直电流伸展弧CVD硬质合金金刚石涂层工具 总被引:1,自引:0,他引:1
采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积,并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究。结果表明:渗硼预处理工艺优于酸浸预处理工艺;在渗硼处理的GY6刀片上,沉积的金刚石薄膜涂层具有大面积、均匀性好和质量高的特点。 相似文献