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1.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
2.
微波单片集成电路及其发展趋势 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了微波集成电路的发展过程,特点,材料和元件,它的设计,制造,应用以及国内MMIC发展概况。 相似文献
3.
实验采用光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察,在光子能量略低于GaAs带边的地方,光生电压谱出现了一个峰,通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响,指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至ZnSe导带底的过程,表明ZnSe/GaAs异质结的能带排列属于错开型,并得出在温度小于70K的低温下ZnSe/GaAs异质结导带偏移值为150meV± 相似文献
4.
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似. 相似文献
5.
对GaAs光电阴极激活过程中各阶段做了X射线光电子谱(XPS)表面分析,根据XPS分析所得数据,改进了激活工艺,提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Cs和O2量,并提出了Cs和O2在GaAs表面排列的模型. 相似文献
6.
氢氧注入在GaAs器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
从3个器件说明氢,氧注入在不同方面的应用:(1)用氧注入制备高质量N-SI-N埋层,应用于源栅面对MESFET中,克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应;(2)用氢注入了P^+-N^--N^+层的N^-层,减小HBT的BC结电容,以提高其高频特性;(3)用氢、氧注入制作平面结构的HPT,以减小复合电流,提高光电增益,其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。 相似文献
7.
用注量为1.2×1012~1.2×1013 cm-2的低能量(0.5 MeV)质子辐照空间实用GaAs/Ge太阳电池,电池被覆盖有4种情况:100%玻璃覆盖,5%部分无玻璃覆盖有封胶,5%部分无玻璃覆盖无封胶,100%无玻璃覆盖.研究表明,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大,但性能参数I sc和U oc衰降程度4种覆盖情况是不同的:100%覆盖,电池性能衰降最弱;5%部分无玻璃覆盖有封胶,性能衰降较弱;5%部分无玻璃覆盖无封胶,衰降较强;100%无覆盖性能衰降最大.研究还表明,相同的质子辐照注量引起的Isc衰降变化比Uoc变化显著;未覆盖部分仅占5%,也会引起电池性能明显衰降. 相似文献
8.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。 相似文献
9.
一种新的含硫化合物CH3CSNH2/NH4OH溶液被用来钝化GaAs(100)表面.应用X射线光电子谱(XPS)表征了该钝化液处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,能有效地消除Ga和As的氧化物,并且S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这标志着CH3CSNH2/NH4OH溶液对GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,As的硫化物不稳定,进一步与GaAs衬底反应,生成稳定的GaS钝化层,此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对GaAs表面处理 相似文献
10.
林金清 《福州大学学报(自然科学版)》1985,(3):52-63
本文叙述了应用GaAs MES FET直接安装在矩形波导管内,实现波导型二端口场效应晶体管放大的结构;同时,介绍利用Smith园图进行匹配设计的工程近似法;以及从工程的观点导出噪声系数的转换公式.并把这些结果用于研制12GHz频段GaAs MESFET低噪声波导传输型放大器。当应用国产WC—60型砷化镓场效应晶体管(该管用在50欧微带放大系统时,测得功率增益为9dB;噪声系数为2.6dB)制成一级功率增益GP≥10dB;噪声系数NF≥2dB的波导传输型前置放大器, 相似文献