Cs2NaMF6:Fe3+ (M=Al,Ga)体系局域结构理论研究

构建了d5组态离子在三角晶体场中包含电子—电子间库仑相互作用、自旋—轨道耦合相互作用及配位体相互作用的完全能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵研究了过渡金属Fe3↓离子掺杂Cs2 NaMF6(M=Al,Ga)体系的局域晶格结构.得到了Cs2 NaMF6:Fe3+(M=Al、Ga)体系中局域结构参量,对Cs2 NaAlF6:...     

Ga-Sb熔体的密度-温度特性

采用改进的阿基米德法对Ga-Sb熔体的密度值进行升温和降温过程测定分析.试验结果表明,升降温时Ga-Sb熔体的密度值在熔点附近都有异常变化,出现了热缩冷胀的现象,其变化的原因是升温的过程中配位数的增加占主导地位.     

Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性

文章详细总结了近十年来人们对于Ga(In)NAs材料体系的理论和实验研究;从典型实验出发,分析了应用于Ga(In)NAs材料的四个理论模型以及它们的成功与不足;同时,通过对研究工作的总结与分析进一步阐述了Ga(In)NAs材料的异常能带结构和光学性质,并从实验结果分析现有理论的优点和不足,提出了进一步研究的方向。     

膜厚对柔性ZnO∶Ga透明导电薄膜结构和电学性能的影响

室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO∶Ga透明导电薄膜.研究结果表明,制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO∶Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响.实验数据表明,一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力,改善薄膜性能,所得GZO薄膜厚度为129nm时,电阻率具有最小值3.2×10-4Ω.cm.     

遗传算法工具箱（GoAT）在MTMD参数优化中的应用

利用MATLAB遗传算法工具箱,对主结构频率发生变化的MTMD参数进行优化,得到了适用于频率变化的结构MTMD参数,为MTMD参数提供了一种方便、快捷的优化方法．     

Banach空间中一类变分包含解的存在性和唯一性

为了解决Banach空间中一类变分不等式的包含解问题,给出了正规对偶映射、k强增生映射、次微分的概念,利用强增生映射性质证明了复合型映射的强增生性,并证明了对偶空间中,变分包含问题的不动点的存在性.利用一般的对偶原理和不动点理论,证明了自反Banach空间中,满足G teaux微分和k-强增生映射的某一类变分不等式包含解的存在性和唯一性.该结果将许多相关文献中的变分包含问题由"光滑的Banach空间"推广到"自反的Banach空间",扩大了变分不等式包含解问题应用范围.     

服务老年群体的社区医院可达性分析——以合肥市包河区为例

针对服务老年群体的社区医院可达性的研究成果较少且研究方法比较单一等问题,提出问卷调研与地理信息系统结合的方法,以夜光遥感数据估算包河区老年人口并运用Ga2SFCA计算可达性值,分析社区医院对老年人的可达状况.结果表明:包河区各街道社区医院的空间分布不均衡,可达性存在较大差异;可达性与地理位置、人口密度及医疗机构等级相关,老年人口密集会导致可达性降低,医疗机构等级高会提升可达性;增大供需比是提高社区医院可达性的有效途径.     

GaAs／Ga1—xAlxAs 量子阱结构能带的不连续性

用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。     

Au plasmon enhanced high performance β-Ga_2O_3 solar-blind photo-detector

Surface plasmon polariton(SPP) is electro-magnetic wave coupled to free electron oscillations near the surface of metal, and has been used to improve the photoelectric properties in many optoelectronic devices. In the present study, the Au nanoparticles(NPs)/β-Ga_2O_3 composite thin film was fabricated through depositing Au ultra-thin film on the β-Ga_2O_3 thin film followed by post-thermal treatment. Compared to bare β-Ga_2O_3 thin film, a significant absorption around 510 nm, which is attributed to SPP of Au NPs, was observed in the UV–vis spectrum of Au NPs/β-Ga_2O_3 composite thin film. The results showed that the photoresponse of Au NPs/Ga_2O_3 photodetector illuminated under 254 nm +532 nm light was much higher than that illuminated under 254 nm light, indicating an enhancement of photoelectric property for the solar-blind photodetector based on β-Ga_2O_3 thin film.