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晶体三极管是模拟电子技术课程中的基础元器件,有着复杂的非线性输入输出特性,既是教学重点,也是教学难点.针对教学中难以用数学方法严格描述晶体三极管全部特性的现状,提出了一种用发散化思维模式进行教学的新思路,以帮助学生尽快熟悉该器件的各种非线性特征. 相似文献
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双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流—电压特性的影响 总被引：1，自引：1，他引：0
高嵩 《辽宁大学学报(自然科学版)》2001,28(4):336-339,348
通过对DVMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析，发现在此结构中，寄生的双极管对器件性能具有不良影响，可以来用一种新型的具有浅扩散p^ 区的自对准VDMOS结构，以完全消除寄生的BJT导通机制，这对MOS技术的发展十分有益。 相似文献
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别其璋 《重庆工商大学学报(自然科学版)》2003,20(1):88-91
探讨了将BJT和FET的三种基本放大电路放在一起进行对比教学的方法。在工程近似分析时，采用低频混合π型等效电路并忽略晶体管的rbb′的情况下，这两种有源器件具有相同的低频小信号电路模型，从而导出了BJT和FET放大电路基本统一的输入电阻，输出电阻和电压增益的表达式，简化了电路分析，提高了教学效率。 相似文献
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在基于漂移扩散模型的半导体器件仿真模拟中,采用Zlamal有限元方法进行数值离散,结合提出的电离损伤耦合模型,对横向PNP(LPNP)双极晶体管(BJT,bipolarjunction transistors)的电离损伤效应进行模拟。基于三维并行自适应有限元软件平台PHG(Parallel Hierarchical Grid)实现了模型和算法,并通过数值计算的方式成功模拟出了LPNP受电离辐射影响后出现的基极电流增大及电流增益退化的现象。进行了网格规模达1亿单元、并行规模达1024进程的大规模数值实验,展示了算法良好的并行可扩展性。 相似文献
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介绍了以双极型晶体管（ＢＪＴ）作主开关器件，用于电动轿车的直流斩波器。由于采用了先进的元件退饱和快速保护技术、低损耗吸收电路结构、最大限流起动控制以及过流、过压、欠压保护等措施，斩波器具有较小的体积、较高的运行效率、较快的启动性能以及高的可靠性。用在ＭＡＺＤＡ改装电动轿车上，试运行情况证明该斩波器性能优良。 相似文献
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对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。 相似文献
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BJT和MOSFET的非线性研究 总被引：1，自引：0，他引：1
信号的放大需要放大电路工作在其近似的线性条件下才有意义．借助数学方法,对构成放大的电路的重要器件BJT和MOSFET的非线性进行了对比,并结合其各自的内部结构分析了2类器件非线性的产生和差异．目的在于为今后研制开发线性特性更好的放大元件提供指导． 相似文献
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