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1.
利用点群4/mmm的对称性给出了应力作用下的钛酸的弹性吉布斯自由能的表达式,并导出了自发应变,介电性质和压电性质。  相似文献   
2.
郑国栋 《科学通报》1993,38(23):2135-2135
发现Bi系超导体以来,用X射线光电子谱XPS对其成键与电子结构等性质的研究已有不少报道。Kokiki等由XPS测量结果讨论了Bi,Sr,Ca在晶体中的分布及其性质,Kishia等由XPS指出,无论在Bi-Sr-Cu-O,(Bi,Pb)-Sr-ca-Cu-O或Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体中,Cu2p~(3/2)束缚能不变,但Sr3d~(5/2),O_(18)的束缚能E_b随上述体系不同而发生变化。掺稀土的Bi系XPS,近来也有研究报道。  相似文献   
3.
4.
5.
6.
7.
8.
采用套管法(PET)制备Bi系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Bi系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Jc值反而降低,带材优化的冷压工艺参数是838℃/60h+冷压+838℃/60h。第1次压力为2GPa,第2次2.5GPa;冷压压下速率为1.5×10^-4mm/s。同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善  相似文献   
9.
介绍了Solgel法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程,研究了BiTi溶胶在Si基片上的匀胶规律;用TGDTA和TEM技术研究了BiTi干凝胶的形态,并成功地在Pt/Ti/Si基片上制备了c轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.  相似文献   
10.
采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3 x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,晶粒尺寸变大;与不添加Mn元素的陶瓷样品相比,添加少量Mn元素可以使晶粒尺寸变小,且更均匀.  相似文献   
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