Mn掺杂La0．1Sr0．9TiO3中温热敏电阻研究

为了探索钙钛矿结构复合金属氧化物中温热敏电阻材料,对La0.1Sr0.9TiO3掺杂Mn元素.研究发现,采用Mn部分替代La0.1Sr0.9TiO3的Ti导致电阻率和热常数B显著变小.对于Mn掺杂量为0 1的样品,其在300 ℃时的电阻率为3 0×102 Ω·m,热常数B为5 900 K;而未掺杂的样品电阻率高达9 8×104 Ω·m,B为13 000 K.掺Mn还显著抑制了材料电阻随时间的漂移.这可能缘于掺Mn后形成了Mn3+-O-Ti4+键,电子的传导机理发生了变化.Mn掺杂的La0.1Sr0.9TiO3有希望作为中温热敏电阻应用.     

经热处理的Fe_(50)Cu_(50)亚稳合金的电阻特性研究

采用机械合金化方法制备了Ｆｅ５０Ｃｕ５０亚稳合金粉末，压制成片状后分别在２５０℃、６００℃进行了热处理，对热处理后的样品进行了低温电阻测量。结果表明，样品的电阻表现为负的温度系数，且经２５０℃热处理的Ｆｅ５０Ｃｕ５０样品表现出比６００℃热处理的样品更大的负温度系数．     

试析负温条件下的热与功

本文在讨论卡诺循环的基础上，指出在负温度条件下，开尔文表述应该修改。     

基于负温度系数热敏电阻多通道高精度可穿戴式体温采集系统的设计

体温通常用于筛查传染病、监测治疗.为了确定皮肤表面温度.通过恒压式测温电路测电阻的方法,研究设计了可穿戴式多点体温监测系统,以STM32F103C8T6芯片为核心处理器,负温度系数热敏电阻(negative temperature coefficient,NTC)作为感温元器件,ADS1256芯片为温度信号调理器,蓝牙模块为无线传输单元,用LABVIEW设计上位机界面.热敏电阻及分压电阻构成的恒压式电桥电路进行8路温度数据的采集,24bits超高精度模数转换模块配置差分输入对模拟信号进行放大、滤波以及模数转换;转换后的数据在单片机中处理和运算;最终通过蓝牙将数据传至上位机.采用Stein-hart方程的四阶公式对热敏电阻作线性补偿.从软件和硬件上减少环境干扰和体温分布不均的影响.分析了温传感器的温度测量误差.实验结果表明,测量系统分辨率达0.01℃,测温准确度可达±0.02℃.此设计方案,具有较高的稳定性和精确性;并且该电路结构简单、体积小、低功耗,可用于需要精密测体温场合.     

原子气体首次低于绝对零度

尽管听起来可能有些让人感觉难以置信,但物理学家们近期真的制造出了一种原子气体,其温度低于绝对零摄氏度。他们所开创的这项技术将有望创造出具有"负温度"的物质材料并发展出相应的新型量子态,甚至还将有可能解答有关我们这个宇宙的基本谜团。开尔文爵士在19世纪中叶最先定义了绝对零摄氏度的概念,指出任何物质的温度都不可能低于这一     

关于温度的概念

分析了现有温度概念不足,从温度的解析表示式和玻尔兹曼关系出发,揭示了温度的微观本质,负温度存在的条件,负温度系统中正、负温度能区的本质区别,最后对难平衡态系统中温度概念出了严格定义。     

化学反应速率的负温度系数

用反应速率的过渡状态理论和碰撞理论对元反应速率的负温度系数进行了解释，同时讨论了复杂反应中反应速率负温度系数的原因，以及溶剂对反应速率温度系数的影响。     

石墨烯/环氧树脂纳米复合材料温度传感器的热电阻效应

随着对温度传感器性能要求的不断提高,研制一种新型高性能温度传感器具有重要的意义.以石墨烯(graphene)为填料,环氧树脂(EP)为基体,通过超声及行星搅拌共混法制备了不同含量的石墨烯/环氧树脂纳米复合材料薄片,并在其两端加上电极制成温度传感器试件.同时,在温度范围30～100℃内研究了不同石墨烯含量对该纳米复合材料热电阻效应的影响,并进一步分析了其影响机理.结果表明,温度传感器在测试温度升高时表现出负温度系数(NTC)效应,并且电阻以近似线性的趋势减小.另外,温度传感器中石墨烯的含量越高,电阻减小的幅度越小.同一传感器试件经过3次循环热处理之后,其热电阻关系趋于稳定.     

“科技风云”回眸

科学的发展速度永远超越人类的想象,而这些风起云涌的科学进展,都浓缩于"科技风云"之中。"负温度"引爆暗能量之谜(2013年第2期)2013:共同期待更美好的未来(2013年第1期)冒险医疗:艾滋治愈血癌(2012年第36期)中国科技期刊的国际舞台"秀"(2012年第35期)万物皆有"缘"(2012年第34期)人脑智力的多面解读(2012年第33期)     

一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.