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1.
复合扩散SrTiO3基半导体陶瓷的压敏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了4种复合氧化物(PbO-Bi2O3-2O3,MnO-Bi2o3,Na2O3-SiO2和LiNbO3)为扩散剂对半导化的SrTiO3基陶瓷显微结构,压敏和介电特性的影响,在实验基础上,提出了新的晶界势垒模型。 相似文献
2.
3.
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点,认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散,与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系,并用此理论解释了许多实验现象。 相似文献
4.
多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用Chebyshev多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱(MQW)系统的束缚电子级公式,并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应MQW系统量子能级的差异。 相似文献
5.
非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。 相似文献
6.
用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究,从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明,当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下,非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。 相似文献
7.
基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”.n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。 相似文献
8.
林鸿生 《北京大学学报(自然科学版)》1997,33(3):346-353
基于实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经主同强度光辐照过的a-Si:HSchottky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。 相似文献
9.
在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明:隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导. 相似文献
10.
硅作为场发射阴极成为可能,硅的场发射研究又重新引起人们的重视.该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程.并分别应用WKB法和转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.最后对两种方法的结果进行了比较,发现转移矩阵法的结果比WKB近似法更加接近于FN理论的结果,该方法可为复杂势场中的量子化效应及电子特性提供一个有效的分析方法. 相似文献