全文获取类型
收费全文 | 180篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
系统科学 | 1篇 |
丛书文集 | 13篇 |
教育与普及 | 13篇 |
理论与方法论 | 2篇 |
现状及发展 | 2篇 |
综合类 | 157篇 |
出版年
2017年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 7篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 12篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 14篇 |
1994年 | 15篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 25篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有188条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致. 相似文献
3.
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极激光光源,其工作原理与通常的半导体激光器截然不同,它利用垂直于纳米级厚度的半导体异质结薄层内由量子限制效应引起的分离电子态,在这些激发态之间产生粒子数反转。该激光器有源区是由耦合量子阱多级串接组成(通 相似文献
4.
用加热分解α-G2S3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。 相似文献
5.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
6.
利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。 相似文献
7.
半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和 相似文献
8.
微波单片集成电路及其发展趋势 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了微波集成电路的发展过程,特点,材料和元件,它的设计,制造,应用以及国内MMIC发展概况。 相似文献
9.
实验采用光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察,在光子能量略低于GaAs带边的地方,光生电压谱出现了一个峰,通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响,指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至ZnSe导带底的过程,表明ZnSe/GaAs异质结的能带排列属于错开型,并得出在温度小于70K的低温下ZnSe/GaAs异质结导带偏移值为150meV± 相似文献
10.
压力下半导体GaAs的电子表面态 总被引:1,自引:0,他引:1
使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响,数值结果表明,随压力增加电子表面态能级明显向上移动,且电子趋近表面。 相似文献