不可小视的镉中毒

案例一排不出去的毒导致死亡2006年1月,打工妹付某死在了自己的四川老家。临死前,她给妈妈的遗言就是:我真不该进那个厂,我进那个厂好苦啊,苦得没法说。19岁那年,付某带着美好的梦想离开了家乡,来到了惠州某电池厂,当了一名女工。现实与理想差距很大,新工人进厂,大概在半个月内,才会慢慢习惯那种味道,非常的臭。工友事后回忆,每次机器压下来,砰的一声,声音非常     

CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。     

负载型Au/CdO CO低温催化氧化性能的研究

用共沉淀法制备了负载型Au/CdO催化剂。考察了以氧化镉为载体金催化剂的制备条件及CO低温催化氧化活性。结果表明，焙绕温度、预处理条件对催化剂的活性有较大的影响，573K焙绕，空气预处理的催化剂活性最好。XRD、TPR、TPD结果表明，活性金高度分散在氧化镉载体上，氧化态的金是活性中心，CO和O2均吸酚在金上，其反应遵据Langmuir-Hinshelwood吸附机理。     

Tm^3＋掺杂3CdO·Al2O3·3SiO2玻璃的合成及光谱特性

合成了Ｔｍ＾３＋掺杂的３ＣｄＯ·Ａｌ２Ｏ３·３ＳｉＯ２玻璃，对其吸收光谱、激发和发射光谱进行了测试与分析，并根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了该玻璃中Ｔｍ＾３＋离子的辐射跃迁几率、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数。     

1,4-苯二甲酸镉的合成及其热分解制备CdO纳米晶

采用液相分散沉淀法在常温下制备了1,4-苯二甲酸镉配合物,分别利用元素分析、热分析、红外光谱以及X射线衍射对配合物进行了表征.利用X射线衍射研究了配合物在高温下的焙烧过程,并利用红外光谱、荧光光谱以及透射电子显微镜对焙烧产物进行了表征.结果表明,将配合物在高温下焙烧可得到CdO纳米晶,晶粒平均尺寸为20～30 nm.     

氧化镉高压物性的第一性原理计算

基于第一性原理平面波赝势密度泛函方法, 研究了CdO的高压结构相变和弹性性质. 计算结果表明, 在零温下CdO从B1 结构到B2 结构的相变压强为90.31 GPa, 这与实验值和其它的理论计算结果符合的很好. 利用准谐德拜模型, 讨论了CdO在0-150GPa范围内下的压缩波速度、平均声速度和德拜温度.     

ZnO—CdO二元体系的导电机制和气敏效应

采用化学共沉淀与固相反应相结合的方法，合成了一系列不同Ｚｎ／Ｃｄ比氧化物粉料。研究了不同Ｚｎ／Ｃｄ比对相结构，电导与气敏性能的影响。没有发现Ｚｎ，Ｃｄ氧化物形成明显的置换固溶体或第三相，但存在间隙固溶体现象。     

强发光的CdS量子点的水相制备及其表面修饰

室温下以柠檬酸钠为稳定剂,在水相中合成了CdS量子点.通过分析浓度、pH值、配比等因素,获得了强发光CdS量子点的制备条件.初步推断具有高能带隙的立方晶相的CdO·nH2O对同样是立方相的CdS量子点的表面修饰是得到强发光荧光性能的重要原因.