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1.
设计了一种具有电介质-电介质-电介质(DDD)三层结构的超窄带吸收器,该结构顶层和中层电介质被石墨烯条带和金属图层隔开.模拟结果表明,该吸收体在51.8 THz附近具有高的吸收率,石墨烯条的费米能从0eV改变为0.8eV,吸收率将从80%降到40%,并且吸收带宽从8.99nm变化到6.07nm.根据频谱操纵机制,可以通过改变各电介质层的厚度来调节共振频率和吸收带宽.此外,吸收体共振频率随入射角变化.研究结果在光学滤波器和生物化学传感方面提供潜在的应用. 相似文献
2.
研究了用快淬制备的铸态和退火处理后的颗粒合金膜Co 20NixCu 80-x(0≤x≤20)的结构、磁电阻性能.利用电镜观察到Co-Ni纳米颗粒在Co-Ni-Cu合金薄膜中分布均匀,与Co-Cu合金薄膜有不同.CoNiCu系列样品随Ni成分的增加,其相变过程由形核长大类型向失稳分解类型过渡.而且在室温下有比Co-Cu样品有更大的MR幅度.750 K下退火10 min的Co 20Ni5Cu 75快淬条带在300 K下的ΔR/R≌6.5%. 相似文献
3.
冷轧压下率对IF钢的深冲性能有重要的影响。采用两次冷轧,在总压下率一定的情况下,两次冷轧压下率的分配是影响IF钢深冲性能的关键。通过冷轧实验,得出在总压下率一定时,两次冷轧比一次冷轧的塑性应变比r值要高;总压下率一定,一次冷轧压下率较小,两次冷轧压下率较大时,可使r值提高;同时,冷轧总压下率提高,也可使r值提高。 相似文献
4.
5.
含向列液晶交联剂的液晶弹性体液晶性能 总被引:2,自引:1,他引:2
把向列液晶交联剂 4 (ω 烯丙酰氧基己氧基 )苯甲酸 2 叔丁基 1,4 二酚酯和胆甾液晶单体 4 烯丙氧基苯甲酸胆甾醇酯接枝到含氢硅氧烷链上 ,交联剂的质量分数由 0至 12 %,得到系列液晶弹性体P1~P7·通过热分析、偏光显微分析等手段研究了向列液晶交联剂对弹性体液晶性能的影响·结果表明 ,P1~P7都有液晶性能 ,均为胆甾液晶织构 ,系列液晶弹性体的tg 随交联剂在链中浓度增加而降低 ,ti 变化不大 ,具有较宽的液晶区间 ,在 182℃以上·交联剂质量分数为 2 %时 ,即从P4 开始弹性增加 ,当交联剂的质量分数大于 8%时 ,液晶相存在至热分解温度 ,所有液晶弹性体的热稳... 相似文献
6.
条带煤柱设计中极限平衡理论的修正应用 总被引:3,自引:2,他引:3
随着采矿工业的局长,我们必须面对如何在人口密集地区进行煤矿地下开采的问题,采用条带开采无异是目前较好的解决方案,进行条带开采首要解决的问题是如何确定条带设计的理论公式。本文采用连续介质理论,探讨了条带开采时所需留设的合理条带尺寸,以弹塑性力学为基础,结合应力平衡微分方程和库伦准则求出了保留条带煤柱的应力极限平均区宽度及其理论公式,理论公式经实践验证能满足现场要求。 相似文献
7.
电泳法制备YBCO超导厚膜的研究屡见报道, 然而其临界电流密度较低. 通过引入不同比例的Y2BaCuO5(Y211)粒子作为磁通钉扎中心, 将顶部籽晶技术和熔融织构工艺相结合, 并且采用高压氧处理调节氧含量的均匀性, 制备出织构的YBCO超导厚膜, 有效改善了晶界弱连接, 提高了临界电流密度. 实验证明, 在YBa2Cu3O78722;δ (Y123)电泳粉末中掺入40 mol%Y211, 制备出YBCO超导厚膜的临界电流密度达到7.008×103 A/cm2 (77 K), 高于当前报道用电泳法制备的厚膜最高临界电流密度. 相似文献
8.
IF深冲钢织构及其对塑性各向异性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
经不同热轧终止温度生产的两种含 Ti- Nb超低碳 IF深冲钢薄板呈现不同的塑性各向异性 .利用取向分布函数 ( ODF)定量分析了它们的织构 ,并对它们相异的塑性行为与织构及 ODF级数展开四阶系数的关系进行了探讨 .结果发现 ,沿板面〈1 0 0〉的取向分布是影响薄板塑性各向异性的主要原因 ,四阶织构系数 C124及 C13 4 值的大小与正负将决定制耳效应的特征 . 相似文献
9.
3104深冲铝板织构对初始R值的影响 总被引:14,自引:0,他引:14
以深冲铝板R值的在线检测为应用背景,塑性变形滑移系开动的过程为出发点,分析了初始滑移系选取的方式,并计算了不同取向3104铝合金板的初始R值.结果表明,织构是决定板材R值最主要的因素,其中初始R值是实测R值的重要组成部分.3104铝板中存在的织构组分决定其R0值最低、R90值最高.计算表明,{111}面织构有利于在明显降低制耳效应的前提下,大幅度提高铝板的深冲压性能. 相似文献
10.
以微合金钢为材料,采用光学显微镜和EBSD,研究热模拟平面应变实验条件下再结晶奥氏体和变形奥氏体的织构演变.研究发现,在热模拟平面应变实验的压缩过程中,试样的两个自由端限制了变形区金属的宽向流动,达到了很好的平面应变状态.对于再结晶奥氏体相变工艺,由于相变前奥氏体发生再结晶,无畸变保留,奥氏体分解为仿晶界铁素体、贝氏体和少量的珠光体,织构为{100}011α;对于变形奥氏体相变工艺,未再结晶区的变形促进了铁素体相变,使奥氏体分解为铁素体和珠光体组织,织构为{332}113α和{113}110α.此两种工艺条件下的织构,皆为平面应变条件下的奥氏体相变织构,即热模拟平面应变实验可以达到很好的平面应变状态,可用于研究热轧过程的织构演变. 相似文献