未来的半导体器件

本文综观半导体器件的现状,提出21世纪占主导地位的半导体器件为真空半导体器件、BiCMOS器件、低温半导体器件、GeSi异质结器件以及量子效应半导体器件,它们在一定程度上代表了未来半导体器件的发展方向。     

人机操作界面中不同效应器（手或脚）对被交叠作业的干扰作用

实验结果提示在高速复杂人机系统操作界面的优化设计中,采用不同的效应器（手或脚）未降低,更不能消除交叠作业的瓶颈干扰,被交叠作业的绩效未被提高。但是,降低反应选择复杂度可有效提高被交叠作业的绩效,作业反应选择复杂度与交叠作业瓶颈干扰程度成正比。     

G蛋白与细胞信号转导

该文主要阐述了G蛋白结构、偶联受体、下游效应器以及蛋白信号转导的有效途径,并且说明了在进行植物细胞信号转导的过程中,植物细胞G蛋白具有非常重要的作用。     

多量子阱自电光效应器件及其负阻特性

研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区,由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明显的量子限制Ｓｔａｒｋ效应。     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理，给出了其设计方案。采用ＳＬＯ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析。测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性。