基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 …

利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与ＧａＡｓ夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到３００℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。     

聚酰亚胺缓冲层改善氧化铟锡导电阳极在聚乙烯基对苯二酸酯柔性基片上附着力的研究

在柔性有机电致发光器件中通常使用的柔性聚乙烯基对苯二酸酯(PET)基片上, 制备了一层聚酰亚胺(PI)缓冲层以改善氧化铟锡(ITO)阳极在基片上的附着力. 经过划痕法的测试, 柔性导电基片的临界载荷值大大提高, 基片抗弯折的能力也有很大的改善. 与使用普通PET基片制备的有机电致发光器件相比, 使用复合基片制备的器件的电流密度和发光亮度均提高了4倍左右.     

历史

<正>1958年9月10日,美国物理学家基尔比发明了集成电路。集成电路是一种微型电子器件或部件,是采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和和高可靠性方面迈进了一大步。在基尔比发明基于硅的集成电路的同     

DPA/CBr_4感光材料的辐射响应

本工作研究DPA/CB_(γ4)感光材料对γ射线相电子束的剂量响应特性.实验结果表明,这种自由基片对γ射线和电子束灵敏,具有较宽的剂量响应范围和较好的稳定性.可作为微剂量学研究的一种探测器,并提供了一种高剂量的辐射剂量测量手段.     

基片温度对直流电弧等离子体喷射沉积金刚石膜的影响

研究直流电弧等离子体喷射比化学气相沉积金刚石系统中，基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响。实验发现，金刚石膜的生长速率和结晶性随基片温度的增加而境调增加。     

射频集成电路中的基片噪声耦合

集成电路（IC）中基片噪声耦合是由干扰信号形成的，这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动，并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。     

不同基片生长γ'-Fe4N薄膜的结构及其磁学性能

采用直流磁控溅射方法, 保持氩气流量不变, 控制氮气的体积分数为10%,125%,15%, 分别用Si（100）单晶和SrTiO₃（100）单晶基片制备Fe N薄膜. 用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe N薄膜的结构及磁学性能进行表征. 结果表明: 在SrTiO₃（100）单晶基片上得到了单相γ′-Fe₄N薄膜, 与Si（100）基片上的样品相比, SrTiO₃（100）更有利于诱导γ′-Fe₄N薄膜的取向性生长; 当氮气的体积分数约为12.5%时, 制备单相γ′-Fe₄N薄膜的晶粒结晶度较好, 且饱和磁化强度较高, 矫顽力比Si（100）为基片获得的Fe N薄膜样品低, 软磁性能较好.     

氮化镓的材料与器件

本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第33卷。GaN半导体具有独特的材料性质，这些性质引发了半导体系统光电子和电子器件的研究与开发的极大兴趣。氮化物材料与器件对高功率、高温度应用极为有前途，其主要优点是高电子迁移率和饱和速度、在异质结界面上的高层载流子浓度、高击穿电场及当它们生长在SiC或大量的A1N基片上时的低热阻抗。     

液晶的表面和界面

本书由来自意大利、美国、荷兰、西班牙等国的27位教授专家撰写。论述液晶表面及液晶与基片的界面的特性，这些特性在液晶显示中起着重要的作用，也在其他液晶器件和液晶电．光器件中有重要的应用，并对液晶等宏观分子与壁之间的微观相互作用作了研究。     

SiO2膜驻极体的表面化学处理及其P—型硅基片的晶向选择

ＳｉＯ２膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明：１１５ｄ之内ＳｉＯ２膜的表面电位衰减小于或等于６％。本文通过对不同晶向的ＳｉＯ２膜对比研究发现：Ｐ（１００）基片上生长的ＳｉＯ２膜驻极性能优于Ｐ（１１１）。根据实验结果，我们讨论了影响ＳｉＯ２膜驻极性能的机制。