最大成键能原理及其应用

本文提出了最大成键能原理。由此出发，求出相应的最大成键能分子轨道及成键能，并得到了分子中各原子间的成键能，这些可以很好说明分子的成键和分子吸原子间键强度的性质，与实验事实吻合。同时，还可以得到分子的Ｍｕｌｌｉｋｅｎ＇ｓ布居数，与通常的ＬＣＡＯ－ＭＯ方法一致。     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d^7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co^2＋杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。计算中，不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应，而且考虑了3d^7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应，与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到。在考虑了键长与键角的微弱畸变后，理论计算值与实验观测值符合较好。     

共价AB^qn型粒子中离域π键判断公式的推导及应用

根据价键理论,杂化轨道理论和离域π键概念,提出共价ＡＢ＾ｑｎ型粒子中离域π键的判断公式,π＾ｍ＝ｍ＋ｎｍ２＋ｑ－２（Ｑ＋ｎＱ－ｎ）,ｎ＋１并以实验验证了公式的可靠性。     

配合物PdCl（μ—dppm）2Rh（CN）2—P（OMe）3的成键特性

含有各种类型配体的过渡金属配合物化学是一个非常活跃的领域。当代化学的一个热点就是有机金属配合物和键。其中由于大多数含磷配体的配合物可作为各种重要反应的催化剂或催化剂前体已经引起了人们的浓厚兴趣［1-2］。在研究过渡金属原子簇电子结构和成键规律时,由于过渡金属原子含有d轨道,有时甚至要考虑f轨道,使金属的价轨道数目增加,成键情况要远比非过渡金属复杂,研究金属原子和配体之间的结合形式和成键性质可为了解分子结构和反应机理提供重要依据。对于具有M2（μ-dppm）2骨架的配合物,我们曾用EHMO法研究了一系列具有M2（…     

Co2+: CaAl2S4吸收光谱的理论解释

MgAl2Sd，CaAl2S4，CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料，由化学输运反应的方法可以成功制备而得出，具有宽的能隙结构，因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注．采用Sugano-Tallabe强场近似理论，引入平均共价因子Ⅳ，利用经典晶场能量矩阵公式，在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实，从而纠正了S．K．Oh等人对Co^2 ：CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。     

邻苯二甲酸根桥联铜多聚配合物的谱学性质与成键状况

对邻苯二甲酸根桥联铜多聚配合物{[Cu(phth)(phen)(H_2O)」·H_2O}(Phth表示邻苯二甲酸根二阶阴离子;phen表示1,10-邻菲咯啉)进行了红外光谱和紫外可见光谱研究,探讨了配位中心铜(Ⅱ)离子的成键状况。结果表明,铜与配位原子N、O形成一个畸变的四方锥结构。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

Al-Mg-Si合金的价电子结构分析

用经验电子理论(EET)对Al—Mg—Si合金中主要成分(如α—Al、镁、硅，以及强化相(β—Mg2Si)的价电子结构进行计算，计算结果表明各成分晶胞最强键上的共价电子对数与其密度、熔点、硬度、电负性有对应关系；Mg、Si原子上次强键的共价电子分布有利于β相的形成。