氯离子诱导的镍在硝酸溶液中的电流振荡

报道了氯了子诱导的镍在0．5mol.dm^-2硝酸溶液中活化－钝化过渡区电流振荡，在恒电位条件下，随着氯离子浓度的升高或者电极电位的降低，电流振荡由周期性振荡逐渐向非周期性振荡转变，根据实验结果，对该体系的电流振荡机理进行了讨论。     

碰撞等离子体中大振幅离子声波的非线性效应

等离子体波振幅足够大时,相干性和非线性效应将起重要作用,不能简单地采用准线性理论。一些电子被波的势阱俘获后,由于波与粒子相互作用,在相速度V_Φ～ω/k附近分布函数将大大畸变,必须用非线性理论来处理。Hasegawa在讨论大振幅等离子体波非线性效应问题时,他假设电子分布函数在捕获区变平,在非捕获区保持平衡分布。Krapcher等由绝热不变量理论讨论大振幅波驱动电流的问题,但讨论限于一维情形,并且未包括耗散效应的影响。夏蒙棼分析了一种随机效应驱动电流的机制,得到钭波振幅要超过某个随机性阈值时才出现这种机制。但对碰撞对捕获电子非线性效应的影响,或耗散效应的研究在国内外都较少讨论。我们利用离子声波漂移不稳定性使离子声波的振幅增长到足够大时也得到了离子声波非线性朗道阻尼的理论与实验相符合的结果。     

萝卜根茎过渡的初步研究

萝卜根茎过渡区位于下胚轴生理上端，长度约５ｍｍ。在子叶迹附近１ｍｍ范围内变化最显著。它的变化是由二原型的根变为具有四大束和两小束外韧维管束的茎。     

河道大型水库水力过渡区及其生态影响研究

运用河流连续体理论,分析修建大坝对河流水力学要素的影响.根据水力特征的变化,对河道型水库工程影响区域水力过渡区进行划分,重点研究各个水力过渡区内的水文水力特征、空间结构、物质结构和能量结构的变化及其生态响应.研究结果表明,水文水力特征的变化直接导致了生态环境要素的变化,最终将对河流生态系统产生胁迫.     

图论数学模型在砂浆界面过渡区中的应用

运用图论数学理论建立了关于砂浆中的界面过渡区的数学模型，可计算细水泥颗粒的质量。细水泥颗粒被预先包裹在集料表面，降低了界面过渡区的厚度及减少连通情况。实验结果表明：进行集料预包裹可以降低砂浆的孔隙率，从而提高抗压强度。     

植物根-茎过渡区的研究现状

根-茎过渡区的研究对于双子叶植物的结构(初生维管系统)是极具证明力的．尤其是在系统发育和个体发育上有十分重要的意义．当前在国际上对幼苗初生维管系统根-茎过渡区的研究有两大学派，一派主张根的外始式星状中柱最原始，茎的内始式真中柱最进化，在两者之间存在一个下胚轴为中始式的根茎过渡区；另一派主张幼苗可分成根-下胚轴-子叶与上胚轴苗等两个单位，上胚轴常似成一种分离的结构，着生在根-下胚轴-子叶的单位上，根和上胚轴间不存在过渡情形．     

基于三维重构的混凝土多相渗透模拟方法综述

首先指出了混凝土渗透性研究中均匀化研究方法的不足;并拟定了基于三维重构的混凝土多相渗透模拟技术路线。随后回顾了混凝土材料三维重构与多相渗透模拟的问题背景、研究方法与研究现状;最后介绍了混凝土界面过渡区(ITZ)的渗透特性、形成机理和分布特征。     

过渡区提取方法综述

图像分割是图像理论发展的瓶颈, 过渡区是指图像中介于目标和背景之间的 特殊区域,借助于过渡区的确定进行图像 分割。主要介绍了过渡区提取的两大类方法 ：基于梯度的方法和基于非梯度的方法, 并对提取效果以及存在的问题做了简要分析。     

功率VDMOS用硅外延材料的制备

介绍了一种实用的VDMOS器件用硅外延片生长技术,该技术使用PE-2061S外延设备,通过特有的工艺技术,在直径0.12m重掺锑（Sb）衬底上,完成了高阻厚层N型外延片的生长。外延层厚度大于74μm,电阻率大于27Ω.cm,其厚度、电阻率及结晶质量等参数都得到了很好的控制,其中部分技术参数达到了国际先进水平。结果表明,该外延材料完全满足VDMOS器件的制作需要。     

濒危植物革苞菊地下器官解剖学研究

革苞菊为多年生草本植物,叶基生.多数植株在地上部分为两株以上,而地下部分却生长在共同的根上并具分枝.由于其地下部分行使根的功能,长期以来,人们一直认为革苞菊的地下部分是根.本文采用石蜡制片法,对革苞菊地下部分的内部结构进行了详细的解剖学观察,结果证明其分枝以下部分为根的结构,分枝以上部分为茎的结构,分枝处为根茎转变区.同时探讨了革苞菊的地下茎与环境的适应特性.