首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
综合类   7篇
  1999年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1994年   2篇
  1993年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
本文用扫描电镜(SEM)和示差扫描量热法(DSC)研究了XeCl准分子激光辐照Fe_(81.5)P_(18.4)Yb_(0.1)非晶合金的晶化特征。结果发现,辐照样品的断面上有类冲击波纹样的层状规则的晶粒分布,其晶粒尺寸由辐照表面向样品内部逐渐减小,最后是近纳米尺度的微晶排布,样品的热稳定性也明显改善。  相似文献   
2.
用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅(PS),样品经XeCl准分子激光器的308nm激光的激发,获得了中心波长为462nm,半高宽为126nm的蓝色光致发光(PL)谱、PS断透射电(TEM)分析发现有nm量级的Si原子团组成的一维量子线(柱)阵列的三维量子海棉结构,由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了PL谱的实验结果。  相似文献   
3.
讨论了控制能量受限下随机控制系统精确能控性问题.从倒向随机微分方程观点出发,利用矩量论方法得到了判定控制能量受限下随机精确能控性充要条件,并得到容易判定的充分条件和必要条件.  相似文献   
4.
本工作用直流叠加方波脉冲电流,对铝合金进行阳极氧化,制得了纳米Al2O3薄膜;用透射电镜、介电场强和显微硬度测定以及荧光光谱等手段研究了它的显微结构和有关物理性质。结果表明纳米Al2O3薄膜具有较高的介电强度、硬度和相对强度为68.2%的兰绿色荧光发光谱等优异性能。  相似文献   
5.
光电器件用铟锡氧化物ITO薄膜的制备及特性研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ITO)铟锡氧化物薄膜。电阻率~10 ̄(-2)Ωcm,可见光区几乎透明,透射率达94%(6328A单色光源)。采用X光衍射和SEM技术分析了氧化热处理前后薄膜中组份及微结构的变化。ITO/p-Si异质结在日照下(AM1.5,100mw/cm ̄2)开路电压达180mv,该方法制各的ITO膜可作为光电接收电极层有效地应用在各类光电器件上。  相似文献   
6.
本文用透射电镜(TEM)和正电子湮没寿命谱(PAS)研究了XeCl准分子激光辐照Fe_(81.5)P_(18.4)Yb_(0.1)非晶合金的结构变化。结果发现,辐照后的非晶Fe_(81.5)P_(18.4)Yb_(0.1)合金内部有纳米微晶相析出,其平均晶粒尺寸为6nm。从而丰富了激光诱导非晶相变的理论和实际研究内容,同时也为非晶一纳米晶复相材料的研制和应用提供了有益的信息。  相似文献   
7.
讨论了控制能量受限下多输入离散线性系统能控域问题.借助于矩量论方法与线性系统分解技巧得到了能控域的结构性定理,并给出了判别任给状态是否属于能控域的显式判别条件。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号