香荚兰愈伤组织的培养及其香兰素形成的研究

香荚兰不同部位的外植体的愈伤组织的诱导率、形成速度及诱导状况明显不同，香荚兰预培养状况、激素的种类与浓度对愈伤组织的诱导与生长均有较大影响，愈伤组织继代培养周期以２８～３０ｄ为宜，薄层层析及高效液相色谱分析结果表明香荚兰愈伤组织及其培养物中存在着香兰素等香味复合物质     

蒽醌型负二向性液晶染料的研究Ⅰ 1,8-二氨基-4.5-二羟基蒽醌衍生物的合成

１，８－二氨基－４，５－二羟基蒽醌的酰化物具有负二向色性，可用于正型彩色液晶显 示．研究了１，８－二羟基葱醌的硝化、还原及酰化反应条件．在硼酸存在下用混酸硝化． 进一步用硫化碱还原制得１，８－二氨基－４，６－二羟基蒽醌，用Ｔ．Ｌ．Ｃ．分离硝化产物． 经质谱和核磁氢谱确证了主要副产物的结构是１，８－二羟基－２．５－二硝基蒽醌．１．８－二 氨基－４．５－二羟基蒽醌与对位取代的苯甲酰氯反应时，在氯苯介质中只发生氨基酰化， 而在吡啶介质中氨基和羟基同时被酰化．     

普通箍筋约束混凝土柱的中心受压性能

为进一步研究钢筋混凝土构件、结构的抗震性能 ,完成了 2 4根约束混凝土柱的中心受压试验。柱的混凝土立方体强度为 5 0 MPa左右 ,采用方箍、拉筋复合箍和井字复合箍 ,大部分试件的配箍特征值 λv 为 0 .0 7～ 0 .2 4。研究了 λv在新颁布的《建筑抗震设计规范》GB5 0 0 11-2 0 0 1规定范围内的约束混凝土的强度和变形 ,提出了可用于混凝土结构、构件非线性分析的约束混凝土的应力 -应变全曲线方程     

Fuzzy集合论的公理系统

本文引入基本 Fuzzy 点的概念,并以此为基础给出 Fuzzy 集的公理化定义.进一步建立 Fuzzy 集合论的公理化系统.最后讨论 Fuzzy 集几种定义之间的关系.     

香荚兰脱分化过程中大分子物质含量的变化

就香荚兰组织培养过程中外植体脱分化的核酸、蛋白质及淀粉含量的动态变化作了比较分析。研究发现,脱分化过程中DNA含量呈相对下降,RNA含量上升,总核酸含量呈上升趋势,蛋白质呈缓慢上升趋势;淀粉则呈现一个积累、消耗和再积累的过程。     

蒽醌硫醚型液晶染料的研究

蒽醌染料缺乏黄色品种，含有硫醚基的蒽醌染料，作为液晶彩色显示的黄色组 分，具有较高的有序参数。 合成了烷基苯型、烷氧基苯型、羧酸酯基苯型及卤素取代苯型四个系列的蒽醌 硫醚型黄色染料。 染料在氯仿中的摩尔消光系数为６４００～１１０００．在液晶Ｅ－７中的最大吸收波 长为 ４４８～４６７ ｎｍ；溶解度小于１．８５％，有序参数为０．５９～０．８０．羧酸酯基苯系 列染料的有序参数高于其它系列。     

一种一致性的不确定性推理模型

将修正了的ＭＹＣＩＮ的可信度因子ＣＦ与ＰＲＯＳＰＥＣＴＯＲ的两种规则的不确定度量充分性和必要性度量ＬＳ,ＬＮ,放在ＢＡＹＥＳ框架下进行综合考虑,建立ＣＦ与ＬＳ,ＬＮ的函数关系,最后用实例说明了此模型的计算方法与主观ＢＡＹＥＳ方法的结果是一致的     

钢筋混凝土剪力墙延性的试验和计算

目的是研究相对压区高度（或轴压比）、端部约束箍筋和高宽比与剪力墙延性的关系。介绍了１０片相对压区高度为０．０６１至０．４４３的剪力墙试件的延性试验结果;建立了考虑端部混凝土约束的剪力墙曲率延性的计算方法。试验结果验证了计算方法的可靠性。用该计算方法对影响剪力墙延性的因素进行了分析。试验和理论分析都表明,为保证剪力墙达到预定的延性要求,应限制剪力墙的相对压区高度（或轴压比）和设置约束边缘构件。     

PZT压电厚膜的飞秒激光烧蚀及图形化研究

利用飞秒激光实现了对PZT厚膜(十几至上百微米)材料的精确烧蚀和图形化研究.飞秒激光脉宽为130fs,重复频率为1kHz.首先利用飞秒激光脉冲能量与烧蚀点大小的关系,得到飞秒激光烧蚀PZT厚膜的能量阈值为100J/cm2,然后利用功率为50～300mW的飞秒激光对PZT压电厚膜进行烧蚀和图形化研究.结合飞秒激光加工的无热影响和无掩膜等特性,在一定的扫描控制下,可以实现对PZT厚膜高精度和高效率的加工.最后,在功率为300mW、扫描速率为5mm/s条件下实现了对PZT厚膜驱动器的图形化.经测试表明,图形化以后,PZT驱动器驱动性能有明显(30%)地提高.     

MEMS微变形镜单元间耦合的优化控制研究

通过计算MEMS微变形镜校正畸变波面后的残余误差,研究不同单元间耦合情况对变形镜校正效果的影响.针对连续镜面MEMS微变形镜单个致动器单元工作时,相邻及以外的单元都会有一个变形量,用耦合系数来表征单元工作时对相邻单元变形量的影响程度.以单元间距为3mm的10×10单元阵列MEMS微变形镜为例,研究了变形镜校正不同畸变波面时,最佳耦合系数与波面畸变因素对应关系.当校正对象为前20阶Zernike多项式波面,此变形镜的最佳耦合系数为10%.分析了单元间距分别为2,2.5,3,3.5,4mm时,10×10单元阵列MEMS微变形镜校正效果的变化情况;不同单元间距对应的最佳耦合系数分别为12%,11%,10%,9%,8%.