Banach空间中具Carathěodory条件常微分方程的Galerkin逼近

本文得到Banach空间中右端具Carathěodory条件常微分方程的Galerkin逼近,解的存在性,以及相应两方程解之间的关系。     

一种实用的小程控交换机供电电源

作者介绍了一种“ＣＵＫ”电路来实现的小型程控交换机供电电源,简述了此电源的基本模型,给出了实际设计的方法,并列出了实例测数据,还在电源的可靠性方面进行了探讨,本文阐明了采用“ＣＵＫ”电路来实现的开关稳压电源具有体积小、重量轻、效率高等特点,展示出利用“ＣＵＫ”电路实现的开关稳压电源具有广泛的前景。     

采用频域与空域结合的错误掩盖算法

提出了一种空域与频域相结合的错误掩盖算法。本算法利用损坏区域周围的纹理特性对不同的坏块区分别采用频域或空域的方法来恢复。频域方法利用离散余弦变换的一些性质，用部分ＤＣＴ系数来恢复原块；空域算法采用逐点恢复的方法。     

一种新型太阳能聚光器的研制

介绍了新型太阳能聚光器的设计原理，分析了设计中的三个问题，提出了最佳设计值，探讨了制造过程中的工艺问题。     

一般Boole空间的单点紧扩张

本文研究了一般Ｂｏｏｌｅ空间的一个特征和Ｂｏｏｌｅ格的一个判定定理。及一般Ｂｏｏｌｅ格的素幻与其单点扩张Ｂｏｏｌｅ格的素幻之间的关系。     

含钡钙矾石相的量子化学研究

钙矾石是水泥的主要水化产物之一，含钡钙矾石相是新水泥矿物含钡硫铝酸钙的主要水化产物，它们是水泥石强度的主要来源。本文利用新发展起来的量子化学ＳＣＣ—ＤＶ—Ｘａ方法对钙矾石相和含钡钙矾石相进行了研究，获得了分子结构的键级、集居数、净电行和共价键级等数据。结果表明：两矿物结构中Ａｌ—Ｏ键的化学参数变化不大，差异较大的是钙矾石中Ｃａ—Ｏ键和含钡钙矾石中Ｂａ—Ｏ键的键级和共价键级。认为Ｂａ—Ｏ键的键级和共价键级大于Ｃａ－Ｏ键是含钡硫铝酸钙水化强度大于硫铝酸钙的主要原因之一。     

氢化物发生-原子荧光法测定烟叶中的铅

建立了一种测定烟叶中微量铅的方法--氢化物发生-原子荧光光谱法.研究了光电管负高压、灯电流、屏蔽气和载气流量、载流的选择、酸度等对实验的影响.在选定的工作参数下,检出限为0.08 μg/L.用标准物质桃叶(GBW08501)对该法进行了验证,验证结果与推荐值一致,相对标准偏差为0.34%.该方法简便、快速、灵敏,对于实际样品的测定得到了满意的结果.     

彩色摄像机的白平衡调整

阐述了彩色摄像机的白平衡调整的原理。方法以及光源种类对白平衡调整的影响,并说明色温滤色片的选择方法和特殊情况下的白平衡调整。     

Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications

During the past several years, the research and development of InP material has made great progress due to serving as the substrate for most optoelectronic devices operating at the communications wavelength of 1.31 and 1.55 μm. At present, InP has become an important semiconductor material together with Si and GaAs. When compared to GaAs, InP has higher electron velocity, higher radiation hardness and better heat-conducting property. The advantage of InP crystal material allows higher frequency operation and lower power requirements. Therefore, InP is widely being used for the manufacture of microwave devices, high-frequency devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) which are indispensable for wireless technology, satellite communications^[1—3]. Although n-type and p-type InP can meet actual needs, semi-insulating InP substrates remain to be improved due to their poor uniformity and consistency. For this reason, several possible approaches have been reported to the preparation of SI InP by wafer annealing under different conditions^[4—9].