多孔硅在射频/微波电路中的研究进展

多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景. 阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论.     

光电系统顶层规划与总体设计技术综述

简单介绍了国内光电系统现状,阐述了光电系统的顶层规划和总体设计的主要任务,从项目管理和总体设计两个方面简述了顶层规划和总体设计的主要方法、内容及现实意义,用总体设计的一般原则、基本内容和基本方法与步骤分析了光电系统总体设计思路.展望了光电技术的发展趋势,并提出了较好的建议和措施.     

基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究

提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成 .把电抛光体硅的电流密度Je 与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α .推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式 .在实验误差的范围内 ,三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性 .     

聚(2-甲氧基-5-丁氧基)亚苯基亚乙烯的超声合成

研究了以对甲氧基苯酚和CH3（CH2）3Br为原料，在N2气保护下，经醚化，双氯甲基化和消除反应，超声合成聚（2－甲氧基－5－丁氧基）亚苯基亚乙烯（PMOBOPV）。通过与回流搅拌合成方法比较后发现，用超声辐照方法合成PMOBOPV具有反应时间短，产率高等优点。     

非制冷红外焦平面探测器技术应用及市场分析

主要介绍了非制冷红外焦平面探测器的发展历史、现状以及主要应用领域,分析了非制冷红外焦平面探测器技术未来发展趋势和市场应用前景,对红外产品生产厂家的未来发展方向提供了参考建议.     

基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究

提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成。把电抛光体硅的电流密度Je与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α。推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式。在实验误差的范围内，三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性。     

粘度法测定高聚物分子量的几种影响因素

<正>粘度法测定高聚物分子量是物理化学基本实验之一.粘度法设备简单,操作技术容易掌握,所测定的分子量的范围很宽(10~4～10~7),且有一定的精确度,但是实验条件控制不好,直接影响高聚物分子量的测定,得出五花八门的实验结果.本文通过温度、溶液浓度、溶液陈化时间、加入消泡剂的量等因素对实验的影响,探讨一个较为适宜的实验条件,并求得较为准确的实验结果.     

多孔硅薄膜的微结构及其XRD研究

使用扫描电子显微镜、原子力显微镜和X射线衍射研究了多孔硅薄膜的微结构.SEM图像显示：多孔硅膜表面的微结构比较均匀;沿纵向方向薄膜内部空腔呈流线型分布;孔和孔之间的间距为10～20 nm.AFM形貌表明：其表面在1×1μm范围内的均方根粗糙度为4.75 nm.XRD结果说明：多孔硅薄膜晶体晶格常数随深度增加而变大,多孔硅薄膜孔壁上Si？H键的比例将减少.