锗/硅量子点形貌随退火温度的变化与电学特性研究

研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。     

二维三角离子晶体马德隆常数的计算

马德隆常数是离子晶体结构的一个重要特征参数.采用埃夫琴晶胞推导了计算二维三角离子晶体的马德隆常数的通项公式.计算结果表明:二维三角离子晶体的马德隆常数比二维正方离子晶体的小,而比一维离子晶体的大,从而验证了马德隆常数随着晶体配位数的增加而增大的论断.     

一个值得开发的高原旅游新区——措普海

措普海一直鲜为人知。这里容独特的山水风光、佛教圣地、温泉为一体 ,是川西高原理想的旅游地。一旦开发利用 ,将为改善人们物质文化生活及促进地方经济发展起到重要作用     

氧化硅及多晶硅对TOPCon太阳能电池性能的影响

TOPCon电池采用超薄氧化硅与掺杂多晶硅对晶体硅前后表面进行钝化并实现选择性载流子输运,提高了晶体硅太阳能电池的效率,但其中的一些物理机理尚未完全被理解.从理论上模拟研究了氧化硅厚度、氧化硅中的介孔密度、多晶硅掺杂浓度等参数对TOPCon太阳能电池性能的影响.结果表明:电池的性能随着氧化硅厚度的增加呈先缓慢提升后急剧...     

TiO2薄膜的优化及其对染料敏化太阳能电池性能的影响

介绍了染料敏化太阳能电池的制备过程, 深入探讨了二氧化钛薄膜厚度、四氯化钛处理电极及添加大粒子散射层对电池效率的影响. 研究结果表明, 在一定范围内增加TiO₂电极的厚度可以显著提高电池效率, 但当电极过厚时, 薄膜中的缺陷态增加, 降低了电子的传输效率, 导致光电流下降, 电池效率降低; 四氯化钛处理电极增强了基底导电面与薄膜界面以及二氧化钛粒子间的电接触, 加快电子传输使光电流增强; 引入散射层, 提高了电池在长波段的光捕获效率, 从而提高了电池的效率.     

PECVD法制备氢化非晶硅薄膜材料

采用等离子增强化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了p,n层的掺杂浓度、氢稀释度及i层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明:p层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;n层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;i层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.     

半导体超晶格高频放大效应的研究

在直流电场和太赫兹频率交流光电场下,通过弛豫时间近似下半经典的玻尔兹曼输运理论研究了半导体超晶格微带电子的高频响应及太赫兹激光辐射的产生和放大可行性,并发现在微带中布拉格反射导致的高频放大共振可以利用交流的探测激光场观察到.