CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。     

三靶式高频溅射仪

高频溅射是近年来薄膜技术的重要发展。这是由于它能制备各种金属、半导体以及介质薄膜,并且具有膜纯、附着牢、成份可保持不变等特点,还可用反应溅射制备化合物薄膜。因此在薄膜电路、集成电路、红外器件、微波器件等电子工业的各个领域得到广泛的应用。此外,也正在发展采用高频溅射技术制备超导薄膜、磁性薄膜、耐腐蚀薄膜、光学薄膜以及在其他各个领域中的     

航行体水下动力增压排气方案研究

为了解决航行体的水下排气问题,在水下负压区排气基础上,提出水下动力增压排气方案.首先建立排气口水微团力学模型,进行水下排气机理分析,指出影响排气压力的关键参数:支管直径、叉管结构角和叉管仰角.其次,通过理论计算和数值模拟分析了叉管内的流场分布,得到排气压力大的对应参数值.最后运用流体动量定理,建立了排气射流轨迹模型,得到排气气泡不卷入螺旋桨的设计准则.研究结果为水下排气系统的详细设计与分析提供了参考.     

GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析

UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。