含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.     

EXCLE在缓和曲线中桩坐标计算中的应用

伴随现在工程测量技术的不断更新,施工测量工艺在也呈日新月异的变化,就线路测量来讲,外业放样现今主要采用全站仪进行,但全站仪放样的关键又在于线路中桩坐标的获得,为此,线路中桩坐标的计算尤其是曲线中缓和曲线中桩坐标的计算便成为放样工艺重中之重。如果在室内利用EXCLE编辑函数、计算功能算出线路坐标,再通过外业计算器进行检核便可有效保证施工测量必要的精度。本文拟通过对缓和曲线采用EXCLE计算线路中桩为例说明此方法应用的便利、准确、快捷。     

Si/SiO2/p-Si结构的电学特性

用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。     

浅议同一水准网条件平差与间接平差处理之异同

测量平差是据最小二秉法原理,正确地消除各观测值之间的矛盾,合理分配误差,以求出观测值的最或是值并评定测量成果的精度.据不同条件下的测量问题,测量平差的方法也不尽相同.本论述试图以某水准网为例,分别采用条件平差、间接平差对各观测值最或是值进行计算,揭示两种平差方法对同一问题处理过程及结果之异同,以便引导学生在以后的测量工...     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

全站仪对边测量精度初探

全站仪因其测量精度高,方便、灵活、简捷的操作特点而得以在公路、铁路建设中广泛应用,尤其是仪器提供的如:对边测量(RDM)、悬高测量(REM)、坐标测量、放样等功能,更足给测量工作带来了极大便利.本文试图通过全站仪对边测量功能的特点、原理及精度进行分析,就对边测量在工程测量中更广泛应用的可行性,浅谈个人的一些观点和看法.     

Au/ETSSO/p-Si结构的整流特性分析研究

用射频磁控溅射法制备了超薄富硅氧化硅薄膜(ETSSO),利用Au/ETSSO/p-Si结构的I-V特性曲线对其电流输运机制进行了定性分析,从而解释了具有整流特性的原因。     

计算机配合全站仪《地形测量》实习教学之管见

地形测量实习教学中传统方法采用经纬仪配合小平板仪测图,计算繁琐,精度不高,成图质量差,容易出错,随着全站仪的广泛使用,施工单位现已采用数字化测图即：外业数据利用全站仪采集。内业地形图可以借助成图软件正确快捷地成图,这样在精度和效率上得到大幅提高。现对传统测图方法和计算机配合全站仪测图法分别进行阐述,并对两种测图方法进行了比较,最后对利用计算机配合全站仪进行地形测量实习教学的几个问题予以了说明。     

激光位移传感器测量原理及应用研究展望

激光位移传感器是一种非接触式的精密激光测量系统,它具有适应性强、速度快、精度高等特点,适用于检测各种回转体、箱体零件的尺寸和形位误差.就此,对激光位移传感器的测量原理和应用研究作了概述.     

电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.