12-硼钨酸钾掺杂聚苯胺的制备、表征和性能简

以过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法制备了12-硼钨酸钾（K5 BW12 O40·nH2O）与盐酸共掺杂的聚苯胺材料。通过傅里叶红外光谱分析、X射线衍射分析和电导率测试等手段研究了12-硼钨酸钾与苯胺单体的质量比（X）对掺杂聚苯胺结构和性能的影响,同时结合循环伏安测试研究了材料的电化学性质。结果表明,在掺杂过程中[BW12 O40]5-作为对阴离子进入到聚苯胺链上,其含量随着犡的增大而增多。进入分子链上的[BW12 O40]5-阴离子会影响材料分子链排列的有序程度,进而影响材料的导电性能。合成的新材料可作为新型的电化学活性材料。     

海德格尔对技术的追问与超越

海德格尔不同意传统哲学对技术的界定,他在其存在论的基础上对技术的本质展开了追问.海德格尔经过对技术追问的逻辑发展,发现了技术的本质是座架,并对此提出了自己的解决方式,从而实现了对传统技术观的超越.     

聚苯胺薄膜厚度的表征及原位生长

以石英基片为衬底,分别在常压0.1MPa和500MPa高压条件下采用原位聚合法制备聚苯胺(PANI)薄膜.通过对PANI薄膜的厚度进行原子力显微镜的直接测量和光谱的间接表征,建立了薄膜厚度df (nm) 与薄膜UV-Vis吸收光谱中400 nm处吸收强度A400间的关系: df = 548A400(0.1MPa)及df=341A400(500MPa).根据这一关系进一步测量了薄膜的生长曲线,并通过扫描电镜(SEM)形貌观测和电导率测试,研究了原位聚合PANI薄膜在不同合成压力下的生长及导电特性.     

甚高压合成条件对原位聚合聚苯胺薄膜导电性能的影响

在不同压力条件下用原位聚合法制备了导电聚苯胺薄膜。发现在150MPa～600MPa的甚高压条件下合成的薄膜样品均具有网络状表面形貌，且样品的紫外吸收光谱随压力的增加出现红移现象。实验结果表明样品分子的共轭长度和分子链间的电接触在高压情况下有所增强。这一结论通过引入约化电导率的分析得到进一步证实。     

金属离子对导电聚苯胺薄膜电阻-温度关系的影响

在含有不同金属盐的酸盐溶液中利用原位聚合法制备了一系列导电聚苯胺薄膜样品，测量并研究了不同样品的电阻随温度变化的关系。实验结果表明反应过程中金属离子的存在能够改善样品的电传输行为，表现为在金属盐酸盐的溶液中制备的样品具有更小的R60/R285和更低的TMOtt。     

压埋法制备MgB2超导材料的工艺

介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法。采用该方法得到的样品的临界温度可高达38．4K，与常规方法得到的样品的临界温度相近。对这种方法的合成工艺进行了探讨，发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大。在相同的0．5h保温时间条件下，烧结温度在1073-1123K温区获得的样品临界温度最高。固定烧结温度(1123K)，不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低。进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究，实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度下降。这可能与样品内过量的杂质有关。     

聚苯胺/纳米ZrO_2复合材料电容的制备及性能研究

本文用化学法合成出一种新的聚苯胺/纳米ZrO2复合材料,并以此为电极制备电容器,测试结果表明,新材料制备的电容器有较好的性能。     

聚苯胺薄膜在不同质子酸溶液中的生长

在H2SO4、HCl、HNO3和H3PO4质子酸水溶液中采用原位聚合法在石英基片上制备了聚苯胺薄膜.通过对薄膜试样进行红外光谱(FT-IR)、紫外光谱、扫描电镜(SEM)、导电性能的测试研究不同种类质子酸对聚苯胺薄膜厚度及导电性能的影响.实验结果表明,试样的掺杂程度和薄膜分子链共轭长度是提高试样导电性能的重要因素,质子酸的氧化性对薄膜生长和导电性能也会产生影响.     

12-硼钨酸钾掺杂聚苯胺的制备、表征和性能

以过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法制备了12-硼钨酸钾(K5BW12O40·nH2O)与盐酸共掺杂的聚苯胺材料。通过傅里叶红外光谱分析、X射线衍射分析和电导率测试等手段研究了12-硼钨酸钾与苯胺单体的质量比(X)对掺杂聚苯胺结构和性能的影响,同时结合循环伏安测试研究了材料的电化学性质。结果表明,在掺杂过程中[BW12O40]5-作为对阴离子进入到聚苯胺链上,其含量随着X的增大而增多。进入分子链上的[BW12O40]5-阴离子会影响材料分子链排列的有序程度,进而影响材料的导电性能。合成的新材料可作为新型的电化学活性材料。