溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究

用热处理方法对单晶硅上的无定形硅薄膜进行外延再生长,需要在超高真空和高温(≥1000℃)条件下才能实现.我们用激光外延可以使在10~(-6)托真空条件下溅射沉积的无定形硅薄膜,不需要衬底表面的溅射清洗和高温热分解,就能得到满意的外延层.激光外延给半导体工艺提供了一种有前途的新技术.     

离子注入硅的连续激光退火研究

离子注入造成的晶格损伤,在半导体应用中有截然相反的两种作用。制造器件的pn结需要消除损伤,     

一种数据库的加密法

本文介绍一种利用数据库的空白部分,用一种可编译的语言,对数据库的文件结构信息,字段描述信息部分进行加密的方法．