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多晶碘化汞膜正逐渐成为制备室温下X射线成像探测器的优异半导体材料. 设计8组不同栅宽和沟宽的共面栅探测器电极结构, 进而使用有限元软件ANSYS对其进行模拟分析,得到相应的电势分布. 结果发现, 结构E(栅宽为150 μm, 沟宽为500 μm)的电极设计效果最佳. 之后, 进一步设计了2组电极结构, 用以研究在不对称电极形状所导致的边缘效应影响下的电势分布, 结果发现通过加宽边缘第二个栅极(结构N)可以实现优化共面栅电极设计的目的, 从而降低边缘效应产生的影响. 相似文献
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