峰值电流升压型PWM变换器内部补偿网络设计

分析了峰值电流升压型PWM变换器环路中极零点补偿对稳定性的影响.根据补偿原则,采用电容等效乘法电路,设计了一种应用于峰值电流升压型PWM变换器的内部补偿网络.利用模拟乘法电路的等效倍增功能,实现了补偿电容的最小化,使内部补偿成为可能.仿真结果表明:该补偿网络使变换器具有高稳定性,补偿后,输出电压的波纹很小,输出纹波电压仅在±8 mV范围内抖动,满足电压稳定输出的性能要求.     

N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm 及小的应力感应Ditm 的增加 ,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能 ,从而使击穿特性退化 .在N2 O氮化后 ,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高 ,其机理在于N2 O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2 副产物的有效排除 .     

N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较,对LPCVD氧化物及N2O氮化LPVCD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究,发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的面态密度Ditm及小的应力感应Ditm的增加,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能,从而使击穿特性退化,在N2O氮化后,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高,其机理在于N2O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2副产物的有效排除。     

MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

分析了金属－绝缘体－SiC(MISiC)结构肖特基二极管（SBD）气体传感器敏感机理，通过将热电子发射理论与隧道理论结构，建立了器件物理模型。模拟结果表明，响应特性与金属电极类型，绝缘层厚度，气体吸收效率和温度有关。模型结果与实验符合较好。通过模拟，得到MISiC结构最佳绝缘层（SiO2)厚度应为１nm左右。     

一种用于PWM变换器的斜坡补偿电路设计

针对传统斜坡补偿的PWM变换器的电流输出能力会随着补偿电流的增加而下降的缺点,设计了一种用于峰值电流模式PWM变换器的斜坡补偿电路.通过改进系统箝位电路,使箝位电压能够随着补偿电流动态变化,从而保持系统的输出电流能力恒定,减小输出电压纹波.仿真采用CSMC 0.6 μm工艺,结果表明:在输入电压大于1 V、占空比大于50 %时,输出电压纹波在10 mV左右,大大提高了负载能力和系统稳定性.     

低功耗14/8 bit逐次逼近式A/D转换器的设计

设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器.该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×105/s和0～2×105/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仪为2 mA.     

∑-△调制器信噪比的优化

通过对∑-△调制器线性模型的分析,提出了一种∑-△调制器信噪比的优化方法,经Matlab仿真验证表明此方法是可靠的。     

用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟

在分析了金属一氧化物-SiC（MOSiC）器件物理模型的基础上，分析界面等物理效应时对器件的影响，建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件，模拟了MOSiC器件的电特性。     

∑-Δ调制器信噪比的优化

通过对∑-Δ调制器线性模型的分析,提出了一种∑-Δ调制器信噪比的优化方法,经Matlab仿真验证表明此方法是可靠的.     

PCR芯片控温系统研究

通过采用以单片机为核心的数字电路控温技术、PWM技术以及PID控温算法,研制出成本低、控温精度高、能用于DNA扩增的PCR芯片温度控制系统。