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1.
采用两步连续沉积法,在玻璃衬底上制备了〈100〉择优取向的立方结构的钙钛矿CH_3NH_3PbBr_3薄膜,并从薄膜微结构及光透射角度研究了CH_3NH_3PbBr_3薄膜的热稳定性.此外,剖析了两步连续沉积法制备的CH_3NH_3PbBr_3薄膜的热分解机制.两步连续沉积法制备的CH_3NH_3PbBr_3薄膜热分解的临界温度为130℃,而完全热解为PbBr_2的温度为170℃.  相似文献   
2.
SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从简化步骤、降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池.测试结果表明,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率.并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高.  相似文献   
3.
从简化步骤,降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池,测试结果表明,实验室制备的无钝化,无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率,并在此基础上提出采用氢钝化,减反射,快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高。  相似文献   
4.
采用等离子增强化学气相沉积在玻璃衬底上制备了掺磷氢化纳晶硅薄膜,并利用X射线衍射谱(XRD)和拉曼散射谱研究了PH3浓度(GFR=[PH3]/[Si H4])对薄膜平均晶粒尺寸和晶格畸变的影响.结果显示磷弱掺杂有利于晶化,而重掺杂抑制晶化.随着GFR的增大,Si(111)方向上的平均晶粒尺寸呈现出先减小后增大的趋势,而对应的晶格畸变则呈现了相反的变化趋势,小的晶粒尺寸诱导了大的晶格畸变.该结果可归结于与平均晶粒尺寸相关的表面增强效应.在掺磷氢化纳晶硅薄膜的制备过程中,PH起了关键的有效掺杂作用.  相似文献   
5.
采用化学水浴法,以乙酸锌、硫脲、氨水和去离子水为反应前驱物制备了Zn S薄膜.采用SEM、XRD、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱研究了光快速热处理温度(Trtt)对Zn S薄膜的表面形貌、结晶和光学性能的影响,同时对Zn S薄膜的形成机理做了分析.研究结果表明:光快速热处理前后,Zn S薄膜均基本呈非晶态,这显示仅采用氨水做络合剂并不能在硅(100)衬底上制备结晶的Zn S薄膜;随着Trtt的升高,Zn S薄膜的吸收边趋于红移,该红移可归结于薄膜应力的变化;在250 nm的紫外光激发下,as-depo的Zn S薄膜在470 nm附近出现的宽峰可归结于Zn S薄膜表面硫的不饱和sp3轨道引起的空穴陷阱和Zn空位的缺陷.Trtt的升高起初增加了薄膜中的点缺陷,随后由于薄膜内部的原子重新排列导致点缺陷减少.薄膜中的点缺陷含量与可见光区的发光强度成正比.  相似文献   
6.
针对目前工科大学物理教学过程中出现的问题,作者针对性地探讨了工科大学物理改革的思路,提出工科大学物理教学只有在教学内容、教学手段、考核方式和授课教师方面进行相应的改革,工科大学物理教学的最终目标才有可能实现。  相似文献   
7.
结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法,实验结果表明,1000度氧化温度下采用于一湿-干氧化法,经过70分钟可生长350nm-450nm厚的二氧化硅层,这不仅大大缩短了高温氧化时间,降低了生产成本,而且氧化层的质量和厚度也能满足器件和工艺过程的要求。  相似文献   
8.
PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。  相似文献   
9.
结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法.实验结果表明,1000℃氧化温度下采用干-湿-干氧化法,经过70分钟可生长350nm~450nm厚的二氧化硅层.这不仅大大缩短了高温氧化时间,降低了生产成本,而且氧化层的质量和厚度也能满足器件和工艺过程的要求.  相似文献   
10.
在对德拜晶格热容局限性分析的基础上,提出晶格热容应考虑晶格中所有声学波和光学波的贡献,而不能简单地将晶格看成各向同性的弹性介质.修正过的晶格热容不但是温度的函数,而且与晶格的体积相关.  相似文献   
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