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1.
本文讨论了三氯乙烯氧化的工艺条件及其对清除Na~ 沾污、提高介质击穿电压、消除金属杂质、改善p-n结特性等方面的功能.作者发现,三氯乙烯的最佳流量(N_2携带TCE流量)随氧化温度的提高而减少.此外,还摸索出处理氧化炉管发黑的一种简便而有效的方法.
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2.
本文讨论了In、Sn等金属作为电极进行压力接触MOS C—V测试的原理和方法,证明了氧化试片不进行背面腐蚀也能可靠地测量C—V特性.用这种方法,氧化试片出炉后只经过二十分钟的测试,即可得出介质膜中电荷密度等参数.
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