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1.
无序和有序GaInP2的光致发光谱 总被引:1,自引:1,他引:0
对无序和有序GaInP2样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量.无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构,在不同温度区有不同的激活能.有序样品则表现为双峰结构,其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭.根据样品有序度及取向超晶格模型解释了实验现象 相似文献
2.
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制. 相似文献
3.
报道了名义上无序GaxIn1-xP(x=0.52)合金的发光瞬态过程,对样品在77K和300K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度。在77K的高激发强度下,衰退过程符合单指数衰退规律,在低激发强度下,符合双指数衰退规律;而在300K下,衰退过程都符合双指数衰退规律。在77K下的时间分辨光谱里观察到了PL谱峰的蓝移现象和载流子的转移过程。 相似文献
4.
通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。 相似文献
5.
室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势. 相似文献
6.
郑健生 《厦门大学学报(自然科学版)》1977,(2)
本文描述发光光谱分布、发光强度、光通量、亮度和外量子效率的测量方法和装置,探讨提高测量灵敏度和准确度的问题。对球带系数法和积分球方法测量光通量作了比较和分析。为便于测量与计算,对外量子效率的计算表达式进行了简化。 列出九个GaP(Zn,O)、GaP(N)和GaAsP发光二极管及GaAsP数码管的光学参数测量结果,得出正向电流及光通量与外加电压、光通量与电流、外量子效率与电流的特性关系,并对测量结果做了必要的讨论。 相似文献
7.
在77K流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下,对组分x=0.88混晶材料GaAs_(1-x)P_x:N的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现NN_i(i=1,3)对束缚激子的发光峰。观察到压力下N_x带发光猝灭及谱带窄化。低温下,降低激发功率密度,N_x谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生N_x束缚激子从孤立N_x中心到NN_i中心的热激活转移。分析结果说明,在加压和低激发密度下,发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃. 相似文献
8.
采用变激发功率密度下的光致发光,变温下的光致发光等手段,研究了混晶GaAs1-xPx:N(x=0.4)样品中各发光带的发光特性,比较了不同激发条件下Nr与Nx发光带的不同行为,求得在不同的温度区间内,Nг及Nx不同的激活能,结果表明Nг与Nx分属不同的杂质发光中心,有着不同的束缚激子的机制. 相似文献
9.
在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60相似文献
10.
光吸收法测定GaP中氮浓度 总被引:1,自引:0,他引:1
在液氮温度下,利用本实验得到的关系式[N]cm~(-3)=1.05×10~(15)α_A_0·Γ,可较简便地估算氮液度。观察到LEC衬底在外延掺杂过程中也同样掺入氮。用GaN掺杂的样品和通NH_3掺杂的样品相比,前者的光激活氨浓度比后者低。 相似文献