GaAs能带的非局域势计算

本文用紧束缚方法计算了GaAs的能带,计算中采用了每原子四个S-P Slater轨道为基函数,并考虑了晶体赝势的非局域性,与Pandey等[1]的精确结果比较,价带和导带能较好地符合,但个别导带能量的误差稍大些。     

在四量子阱结构中浅施主的束缚能

本文提出氢杂质在中间Ga_(1-x)Al_xAs垒中的四量子阱模型,计算了束缚能与阱和垒的宽度、势垒的高度和杂质在垒中的位置的依赖关系。结果表明,与双量子阱模型比较,规律性是相符合的,在单阱极限的计算结果与前人的一致。     

铬的3d能带结构

本文用紧束缚方法计算了铬的3d能带结构和状态密度。计算中采用了Herman和Skillman的原子波函数和由此计算得到的原子位场。计算的3d能带结构和状态密度与其他作者计算结果相似,得到的3d带宽填充带宽和低温电子比热系数与实验值符合较好。最后着重讨论了计及交换作用对计算结果的影响。     

立方BN的能带结构

本文用紧束缚方法计算了立方BN的能带结构,计算中采用了每原子四个Slater轨道为基函数和经验赝势哈密顿,计算结果表明,主要能隙和价带宽与Tsay等的结果比较,符合较好