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利用ISE TCAD仿真软件,建立了铟镓砷(InGaAs)短波红外探测器表面漏电的二维模型。在背面照射方式下,模拟研究了InGaAs短波红外探测器的表面漏电对器件暗电流、总电流、量子效率和响应率的影响。研究结果表明,表面漏电会导致器件的暗电流和总电流增大,但响应率和量子效率会降低。由此可知,表面漏电是制约InGaAs短波红外探测器性能的重要影响因素,该研究结果为器件的设计与优化提供了理论依据。 相似文献
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提出了由三能级原子构成的非线性介质中双光子双光束光学双稳态的全量子分析,应用等效哈密顿量研究了两输出光束强度和与强度差的涨落谱．结果表明,在适当的参量取值下,强度和与强度差的涨落谱可低于发射噪声水平,且光学Ｓｔａｒｋ效应对涨落谱有显著的影响． 相似文献
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PbS电子结构的第一性原理 总被引：2，自引：0，他引：2
基于第一性原理平面波赝势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)等不同的交换关联势,分别计算了闪锌矿(ZnS)结构、面心(NaCl)结构和体心(CsCl)结构PbS的总能,给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势(DECP)对能带结构、态密度(DOS)、分态密度及带隙的影响.3种结构PbS能量的计算结果表明,面心结构PbS较体心结构及闪锌矿结构更稳定. 相似文献
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