基于FPGA的IP仿真验证平台

IP（集成电路知识产权芯核）的仿真和硬件验证是IP开发中不可缺少的环节．文中基于FPGA（现场可编程门阵列）开发了一个IP仿真验证平台,并使用PCI（外部设备互连）总线来测试IP．用户只要将自已设计的IP插入所开发的仿真验证平台,就可以方便地对IP进行测试．文中还对所设计的平台进行了软件仿真,以验证其功能,并在载有Xilinx Spartan-3 600E FPGA的PCI插卡上进行上板调试．结果表明,所建立的基于FPGA的IP仿真验证平台可以对IP进行有效的仿真和验证,并具有良好的稳定性和实用价值．     

多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106～5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.     

基于MASH 2-1结构的小数分频锁相环的设计与实现

设计并实现了一种3阶多级累加器级联架构MASH 2-1的数字Δ∑调制器.Matlab仿真结果显示该结构具有良好的噪声整型特性.提出了一种基于MASH 2-1Δ∑调制器的II型4阶锁相环,并给出了相应的Matlab仿真及频谱仪测试结果.结果表明锁相环的稳定输出频率符合设计要求.     

多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.     

多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展

随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础...     

IP设计仿真平台控制软件开发及IP验证

在简要介绍基于PCI总线的IP（Intellectual Property）设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在Windows2000/XP下开发该平台的WDM（WindowsDriver Model）设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存器、内存和I/O读写、应用程序编写等作了分析,并以可编程直接存储器存取（PDMA）和图像二值化为IP验证实例.结果表明：所开发的仿真验证平台大大地提高了IP的仿真效率,优于现今测试时难以产生大批测试数据和难以获得数据处理结果的一般仿真验证平台.