卤素原子在Ni(100)面上的相互作用

本文用只考虑最近邻相互作用的紧束缚模型研究了卤素吸附原子在Ni(100)面上的相互作用能。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,解释了吸附的二维层结构。讨论杂质的影响,发现杂质的存在有时可以改变吸附层结构。另外发现:相互作用能随耦合强度的减小呈振荡衰减趋势。     

氮在β—SiC（100）表面上吸附性质的初步研究

用电荷自洽的推广休克尔理论和集团模型，研究了氮在β－ＳｉＣ（１００）面上吸附的特性。计算发现，氮主要与硅面发生相互作用而不易吸附于碳面。吸附位置以桥位最稳定，这里，氮原子轨道发生ｓｐ＾２杂化，两个杂化轨道饱和硅厚子的悬挂键。此外还在推广休克尔理论的框架下，计算了氮吸附的（３×１）超结构的电子态密度，计算表明，在原禁带中不存在表面态。     

体心立方晶体和掺杂简立方晶体的化学吸附能

本文讨论了体心立方的(100)表面的格林函数在能量零点(能带中心)的渐近行为。并计算了(100)纯净表面吸附单个原子的化学吸附能。还用格林函数方法计算讨论了晶体表面杂质对化学吸附能的影响。