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详细介绍了干涉增强喇曼散射技术及其样品构形设计的计算方法,同时给出了利用该技术对a-Si:H释氢及金属诱导晶化的研究结果。 相似文献
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采用在HF溶液中阳极处理硅单晶片的方法制备了具有可见光波段发光特性的多孔硅膜。应用X光衍射技术及激光喇曼散射谱研究了发光多孔硅膜的结构特征。研究结果表明:纳米量级尺寸是多孔硅膜的一个重要特征。估计多孔硅硅柱横截面直径在几到十几纳米之间。 相似文献
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1 引言VLSI(very large scale Integration)性能的不断改善,元件尺寸的逐步减少,要求介质膜在超薄(～100A)的情况下具有优良的性能。热生长的SiO_2膜,在厚度小于250A时,因其缺陷密度较大,对某些杂质掩蔽能力变弱,致使超薄Si0_2膜不能满足超大规模集成电路发展的需要。然而,通过Si或SiO_2膜的热氮化则可得到高质量的超薄介质膜。这样,不仅能克服超薄热生长SiO_2膜的主要缺点,也避免了在Si_3N_4-SiO_2结构(如MNOS器件)中的介质界面陷阱效应。 相似文献
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