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在室温下，我们测量了电场作用下ＣｄＳ晶体中光生载流子的电流特性，由此计算出电子的迁移率为４２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，空穴的迁移率为１．６×１０２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，激子在其寿命时间内移动约０．４ｍｍ． 相似文献
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