多壁碳纳米管薄膜场发射规律实验研究

研究了CVD法定向生长的多壁碳纳米管薄膜的在高电压条件下场发射特性 .我们发现在固定电压条件下发射电流和时间的关系按指数规律减弱 .另一个值得关注的现象是碳纳米管的发射性能的不可恢复性损坏 .电流电压关系也由幂次关系I =aVb 改变为幂次关系I =a(V -V0 ) b′,其中 ,b和b′的值均为 2～ 3.最后讨论了电流减弱的原因     

环境核辐射污染及防治对策

探讨了环境放射性核素污染的特点，扼要介绍了核污染的主要来源及防治原则．根据亲身 体验介绍了西方发达国家防止核污染的做法现状，分析了我国防治核污染的形势及存在 问题，探讨了我国防治核污染的对策及建议。     

选择共振遂穿模型对核反应11B(p,α)2α的反应截面的计算

分析了理论计算11B(p,α)2α核反应截面的重要意义.利用选择共振遂穿模型对11B(p,α)2α的核反应截面进行计算.调出了核势的实部和虚部分别为-54.6Mev和-257.4kev.理论计算和实验测量值在一定程度上符合的很好,进一步说明选择共振遂穿模型是计算有明显峰值的核反应截面的有效方法.     

镍基纳米碳管薄膜冷阴极场致发射特性及失效行为

对镍基纳米碳管薄膜冷阴极场致发射特性进行了多次反复的测量,发现了该材料在特定条件下会发生失效行为,并对此现象进行了初步的分析.     

K荧光辐射强度与管电压关系实验研究

利用反射式阳极产生K荧光的装置，用Ag作为次级靶进行测量，得出不同电压下的K荧光光子数与管电压之间的关系，拟合出K荧光辐射强度的公式．     

计算核子-核反应截面的Glauber理论和选择共振隧穿模型

通过对核子-核反应截面的两种计算方法进行对比和分析,指出各自的特点和计算中存在的困难,在此基础上,提出将两种计算方法结合起来的设想,希望能解决整个能区内核子-核反应截面的计算问题。     

15N(p,α)12C反应截面的理论计算

分析了理论计算核反应截面的重要意义，利用选择共振隧穿模型对^15N（p，α）^12C的反应截面进行计算．调出了核势的实部和虚部分别为：-15．43Mev和-1050．7kev．理论计算和实验在一定程度上符合得很好，这说明了选择共振隧穿模型是计算有明显共振峰的核反应截面的有利工具．     

环境核辐射污染及防治对策

探讨了环境放射性核素污染的特点，扼要介绍了核污染的主要来源及防防治原则，根据亲身体验介绍了西方发达国家防止核污染的做法现状，分析了我国防治核污染的形势及存在问题，探讨了我国防治核污染的对策及建议。