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本文分析、研究封闭硅栅CMOS电路的结构特点及其经济结构的设计,找出每级倒相器、与非门和或非门基本门电路比较经济、合理的几何结构,得到具有较经济的T_D/(W/(L_ef)值。该设计方法适用于中、小规模封闭结构的CMOS电路,并已应用于六倒相器、4×2与非门、4×2或非门等多种低压高速门电路的设计,取得较满意的结果。 相似文献
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本文分析了具有偏置栅又有延伸源场极的高压MOS结构和双极型器件复合结构中产生可控硅效应的机理,从而得出如何在材料、几何结构和工艺参数上采取措施,抑制和防止可控硅效应的产生。 相似文献
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本文仔细地分析了铝栅和条状硅栅CM。S结构的节点电容与几何结构、物理、材料和工艺参数关系;推出了较为精确的节点电容表达式;提出CMOS倒相器、与非门、或非门等基本单元电路设计合理结构的理论,为决定申,小规模高速CMOS电路各级门电路经济合理的几何结构提供了一种有价值的设计方法,是提高CMOS电路速度一种有效途径。本设计理论已应用于六倒相器,计数器等多种条状栅CMOs电路的设计,并获得令人满意的交流参数。 相似文献
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